サムスン電子が日本の横浜市に先端半導体研究開発拠点を新設することにした中で、岸田文雄首相が２１日に首相官邸でサムスン電子に対する支援案を直接表明する方針だ。

２０日のＮＨＫの報道によると、研究開発拠点は横浜のみなとみらい地区に作られる予定だ。ここでは約１００人の技術者を採用して共同研究を進め、半導体パッケージ技術を扱うものとみられる。

日本は１９８０年代にメモリー半導体最強者だったが、その後競争力が落ちＮＡＮＤ型フラッシュを除いては製造競争力を失った状態だ。ただ日本が強みを持っている半導体後工程（パッケージングとテスト）分野の重要性がますます大きくなっており、最近世界的企業との協力を増やしている。

当初サムスン電子の投資規模は約３００億円とされたが４００億円を投資することになった。１００億円とされた日本政府の補助金も投資額の半分水準である２００億円で調整中だ。

岸田首相は２１日に首相官邸で開かれる投資拡大関連会議で直接サムスン電子に対する支援方針を表明する見通しだ。

これに先立ち尹錫悦（ユン・ソクヨル）大統領と岸田首相は５月にソウルで開かれた首脳会談で、韓国の半導体メーカーと日本の素材・部品・装備企業間の共助を強化し、半導体供給網を構築することで合意している。サムスン電子の今回の投資は韓日首脳会談後、両国間で初めての半導体供給網共助事例になる見通しだ。