ＳＫハイニックスが世界で初めて２３８層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発に成功した。２００層以上ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは「夢の技術」と呼ばれる分野で、ＳＫハイニックスが今回開発した２３８層は現存するメモリー半導体で最高層。先月２７日に米マイクロンが２３２層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産を始めると明らかにしたが、「Ｋ（韓国）－半導体」がまた技術格差を広げることになった。

ＳＫハイニックスは３日（現地時間）、米サンタクララで開幕した「フラッシュメモリサミット２０２２」（ＦＭＳ　２０２２）で「２３８層　５１２Ｇｂ　ＴＬＣ　４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」製品を初めて公開した。ＮＡＮＤは電源が切れてもデータが残る非揮発性メモリー半導体で、データを保存するセルの層数を「層」と呼ぶ。ＴＬＣは１つのセルに３ｂｉｔ（８つの情報）を保存できるという意味。

ＳＫハイニックスの関係者は「２０２０年１２月に１７６層ＮＡＮＤを開発し、１年７カ月後に次世代技術開発に成功した」とし「今回の２３８層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは現存製品のうち最高層であり、世界で最も小さい製品を具現し、意味が大きい」と説明した。

メモリーが小さくなり生産効率も高まった。この関係者は「単位面積あたりの容量が高まったチップがウェハーあたり多くの個数で生産されるため、以前の世代の１７６層より３４％ほど生産性が高まった」と話した。小さくなったがデータ伝送速度は速くなり、電力消費量は減った。２３８層のデータ伝送速度は１秒あたり２．４Ｇｂと、１７６層と比較して５０％ほど速くなり、チップがデータを読む時に使用するエネルギー使用量は２１％減少したというのが、会社側の説明だ。

ＳＫハイニックスは製品サンプルを出したのに続き、来年上半期から本格的に量産に入る計画だ。ＰＣ保存装置のｃＳＳＤ（ｃｌｉｅｎｔ　ＳＳＤ）に入る２３８層製品を先に供給し、その後スマートフォン用とサーバー用の高容量ＳＳＤなどに製品の活用範囲を広めていく方針だ。また来年は保存容量を倍に増やした１Ｔｂ製品も出す。

ＮＡＮＤ開発担当者の崔正達（チェ・ジョンダル）ＳＫハイニックス副社長はこの日の行事の演説で「４次元（４Ｄ）ＮＡＮＤ技術力を基に開発した２３８層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを通じてコスト・性能・品質の側面で世界トップクラスの競争力を確保した」とし「今後も技術の限界を突破するために革新を繰り返していく」と述べた。