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韓国SKハイニックス、世界最高238層NAND公開

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2022.08.03 08:08
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SKハイニックスが世界で初めて238層NAND型フラッシュメモリーの開発に成功した。200層以上NAND型フラッシュメモリーは「夢の技術」と呼ばれる分野で、SKハイニックスが今回開発した238層は現存するメモリー半導体で最高層。先月27日に米マイクロンが232層NAND型フラッシュメモリーの量産を始めると明らかにしたが、「K(韓国)-半導体」がまた技術格差を広げることになった。

SKハイニックスは3日(現地時間)、米サンタクララで開幕した「フラッシュメモリサミット2022」(FMS 2022)で「238層 512Gb TLC 4D NAND型フラッシュメモリー」製品を初めて公開した。NANDは電源が切れてもデータが残る非揮発性メモリー半導体で、データを保存するセルの層数を「層」と呼ぶ。TLCは1つのセルに3bit(8つの情報)を保存できるという意味。

SKハイニックスの関係者は「2020年12月に176層NANDを開発し、1年7カ月後に次世代技術開発に成功した」とし「今回の238層NAND型フラッシュメモリーは現存製品のうち最高層であり、世界で最も小さい製品を具現し、意味が大きい」と説明した。

メモリーが小さくなり生産効率も高まった。この関係者は「単位面積あたりの容量が高まったチップがウェハーあたり多くの個数で生産されるため、以前の世代の176層より34%ほど生産性が高まった」と話した。小さくなったがデータ伝送速度は速くなり、電力消費量は減った。238層のデータ伝送速度は1秒あたり2.4Gbと、176層と比較して50%ほど速くなり、チップがデータを読む時に使用するエネルギー使用量は21%減少したというのが、会社側の説明だ。

SKハイニックスは製品サンプルを出したのに続き、来年上半期から本格的に量産に入る計画だ。PC保存装置のcSSD(client SSD)に入る238層製品を先に供給し、その後スマートフォン用とサーバー用の高容量SSDなどに製品の活用範囲を広めていく方針だ。また来年は保存容量を倍に増やした1Tb製品も出す。

NAND開発担当者の崔正達(チェ・ジョンダル)SKハイニックス副社長はこの日の行事の演説で「4次元(4D)NAND技術力を基に開発した238層NAND型フラッシュメモリーを通じてコスト・性能・品質の側面で世界トップクラスの競争力を確保した」とし「今後も技術の限界を突破するために革新を繰り返していく」と述べた。

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    韓国SKハイニックス、世界最高238層NAND公開

    2022.08.03 08:08
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    SKハイニックスが3日に初めて公開した「238層512Gb TLC 4D NAND型フラッシュメモリー」。会社側は「世界最高層で最小」と説明した。 [写真=SKハイニックス]
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