ＳＫハイニックスが３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー半導体の量産に入った。サムスン電子に続き世界で２番目だ。３次元ＮＡＮＤは情報を保存するセルを水平ではなく垂直に積み重ねて容量とスピードを大幅に改善した製品だ。

ＳＫハイニックスは最近、忠清北道清州市（チュンチョンブクド・チョンジュシ）のＭ１２生産ラインで３６段の３次元ＮＡＮＤの量産を始めたと２８日明らかにした。ウエハーを工程に投入して１カ月半ほど後の４月初めに最初の製品が出てくる。競争会社である日本の東芝や米国のマイクロンはまだ３次元ＮＡＮＤを生産することができずにいる。

会社関係者は「今年の年末には４８段の３次元ＮＡＮＤの開発を終わらせて生産できる」としながら「７２段製品も開発している」と話した。ＳＫハイニックスはＤＲＡＭ市場では世界２位だが、ＮＡＮＤ市場では５位にとどまっている。

ＳＫハイニックスは最近、平面ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー製品も１４ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）微細工程を通じて生産を始めた。１４ナノメートル微細工程の導入はサムスン電子には９カ月ほどの遅れをとったがマイクロンよりも先行している。