◆ライバル会社と技術格差１－２年広がる

サムスンの３次元円筒型ＣＴＦはシリコンに微細な穴を開ける「チャンネルホールエッチング（Ｃｈａｎｎｅｌ　Ｈｏｌｅ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）」技術が核心だ。崔専務は「サムスン電子瑞草社屋の４４階の屋上から数十億個の穴を地下まで重ならないよう垂直に掘り下げる技術」と説明した。この穴を通じて電極を連結し、外側に不導体とゲートを作る方式だ。

崔専務は「チャンネルホールエッチングの難しさのため現在は２５層以上は積めないが、理論的には無限に拡張できる」と説明した。これを受け、サムスン電子はライバル企業との格差を１－２年以上広げたと評価される。

◆特許３００件以上を世界各国に出願

市場調査会社アイサプライによると、世界ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場は今年の２３６億ドルから２０１６年には３０８億ドルに成長すると予想されている。サムスン電子は現在の主力製品２０ナノ級６４Ｇｂを来年末まで１０ナノ級１２８Ｇｂ製品に変える戦略だ。崔専務は「今後、京畿道華城工場で３次元円筒型ＣＴＦセルを量産しながら工程技術を確立し、来年４－６月期から中国西安でも量産する計画」と明らかにした。

サムスン電子はＶ　ＮＡＮＤ関連核心特許３００件以上を国内はもちろん、米国・日本など世界各国に出願したと明らかにした。サムスン電子と半導体特許クロスライセンスを結んでいるＳＫハイニックスの場合、今年末まで技術開発を完了し、市場状況を見守りながら来年または再来年に３次元構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを量産する計画だ。フラッシュメモリー２位企業の東芝は現在１９ナノ工程で生産している。

一方、日本経済新聞はこの日、東芝が米サンディスクと共同で４０億ドルを投入し、１６－１７ナノメートル級のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー工場を増設すると伝えた。


サムスン電子、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー量産の意味と展望（１）