◆サムスン・ＳＫハイニックスに脅威

サムスン電子とＳＫハイニックスも今回の新技術公開に注目する雰囲気だ。

現在、マイクロンはメモリー半導体市場で３位にすぎないが、後発走者でも新しい原材料を開発すれば一気に状況を覆すことができるという点でだ。

業界の関係者は「マイクロン単独でなく世界１位のシステム半導体企業のインテルがともに加わったという点が負担となる部分」と述べた。

サムスン電子とＳＫハイニックスも次世代非揮発性メモリーとして抵抗変化メモリー（ＲｅＲＡＭ）など似た類型の次世代メモリーを開発している。しかしまだ安く大量生産できる段階ではないという。国内企業は次世代半導体市場の開花時期を早くて２０１８年と見込んでいる。

したがって今後のカギはインテルとマイクロンがどれほど早く安く次世代半導体を生産するかにかかっている。業界では、インテルとマイクロンの製品がライバル企業の製品に比べて優れているかどうかを判断するのはまだ早いという見方も少なくない。

しかしインテルの関係者は「現在、技術開発が始まったのではなく量産の準備が終わったという点を強調したい」とし「今年、顧客にサンプルを供給し、来年に米ユタ工場で大量生産を始める」と強調した。

国内企業の関係者は「来年から大量生産して納品を始めれば、国内の業界に相当な打撃となる可能性がある」と懸念を表した。

◆３Ｄクロスポイント

インテルとマイクロンテクノロジーがデータ臨時保存用半導体のＤＲＡＭと半永久保存装置のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの長所を合わせて開発した次世代メモリー半導体。従来のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーよりデータ保存速度が１０００倍以上速い。


インテル「メモリー業界版図変える」…サムスン・ＳＫハイニックス「緊張」（１）