サムスン電子、3次元NAND型フラッシュメモリー量産の意味と展望(2)
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2013.08.07 10:27
◆ライバル会社と技術格差1-2年広がる
サムスンの3次元円筒型CTFはシリコンに微細な穴を開ける「チャンネルホールエッチング(Channel Hole Etching)」技術が核心だ。崔専務は「サムスン電子瑞草社屋の44階の屋上から数十億個の穴を地下まで重ならないよう垂直に掘り下げる技術」と説明した。この穴を通じて電極を連結し、外側に不導体とゲートを作る方式だ。