三星（サムスン）電子が回路線幅４０ナノプロセスでＤＲＡＭを作る技術を初めて開発した。２０００年に１５０ナノ技術を開発してから１０年で８回にわたり「世界初」の記録を続けている。

同社は４日、４０ナノプロセスのＤＤＲ２ＤＲＡＭ開発に成功したと発表した。２００６年９月に５０ナノＤＲＡＭを開発してから２年５カ月で１段階進歩した製品を開発したことになる。先月まで米インテルでテストした結果、新プロセスで作ったチップを使用した容量１ギガバイト（ＧＢ）のＤＲＡＭモジュールがきちんと作動するという認証を受けた。第３四半期には動作速度がより速い２ＧＢのＤＤＲ３ＤＲＡＭの量産に入る予定だ。

半導体世界５位の独キマンダが血のにじむ競争に耐えられず先月に破産を申請するほど世界の半導体市場の状況は厳しくなっている。今回の発表はこれを圧倒的な技術優位で克服するという意志を示したものだ。サムスン電子はＮＡＮＤフラッシュ分野でも昨年末から４２ナノプロセスの１６ギガビット（Ｇｂ）製品の生産に入ったのに続き、下半期から３０ナノプロセスの３２Ｇｂ製品を量産する予定だ。

半導体業界でナノプロセスはそれ自体が競争力だ。メモリー半導体は薄い円盤状のシリコンウエハー上に細い回路を描いて作る。回路線幅が細いほどチップを小さくできる。それだけ同じウエハーで多くのチップを作れることになる。同社の金昌炫（キム・チャンヒョン）専務は、「４０ナノプロセスでＤＲＡＭを作れば５０ナノより生産量を６０％近く増やせる」と話している。回路が細くなっただけに作動に必要な電圧も１．５ボルトから１．２ボルトに下がった。それだけ発熱量も少ない。５０ナノ級ＤＲＡＭより３０％以上消費電力を減らす効果もある。


三星電子が４０ナノＤＲＡＭを開発…技術力で２五先行（２）