韓国の半導体メーカーが新技術を大挙公開した。スマートフォンやＰＣなどＩＴ需要の萎縮で「半導体寒波」が続く中で技術格差を確保し危機を打開するためだ。

サムスン電子とＳＫハイニックスは８日、米カリフォルニア州サンタクララで開かれた「フラッシュメモリーサミット２０２３」で次世代メモリー製品をそれぞれ公開した。サムスン電子は「最新性能」に、ＳＫハイニックスは「最高積層」にそれぞれフォーカスを合わせた。フラッシュメモリーサミットは世界最大のメモリー半導体イベントだ。

火ぶたを切ったのはＳＫハイニックスだ。ＳＫハイニックスはこの日３２１層４Ｄ１テラビットＴＬＣ４ＤＮＡＮＤ型フラッシュの開発経過を発表し開発段階のサンプルを展示した。メモリー業界で３００層以上のＮＡＮＤ開発経過を公開したのはＳＫハイニックスが初めてだ。同社は２０２５年上半期から量産すると明らかにした。前世代の２３８層５１２ギガビットより生産性が５９％高まった。

ＳＫハイニックスはまた、生成型人工知能（ＡＩ）市場の成長に増えた高性能・高容量メモリー需要に対応するためＰＣＩｅ第５世代インターフェースを適用した企業用ＳＳＤとＵＦＳ４．０も発表した。これを基にＰＣＩｅ第６世代、ＵＦＳ５．０など次世代製品開発計画を発表した。

ＳＫハイニックスのチェ・ジョンダルＮＡＮＤ開発担当副社長はこの日の基調演説で「第５世代３２１層製品を開発しＮＡＮＤ技術リーダーシップを強固にする計画。ＡＩ時代が要求する高性能・高容量ＮＡＮＤを市場に主導的にリリースして革新を導いていく」と話した。

ＮＡＮＤ型フラッシュ世界市場１位のサムスン電子は昨年１１月に量産を始めた第８世代Ｖ－ＮＡＮＤを前面に出して次世代企業用サーバー市場の高容量化を主導し、モビリティ分野まで事業を広げる構想だ。業界は第８世代Ｖ－ＮＡＮＤを２３６層水準とみている。サムスンは今回の行事で▽第８世代Ｖ－ＮＡＮＤ基盤データセンター用ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）「ＰＭ９Ｄ３ａ」▽生成型ＡＩサーバーに使われる「ＰＭ１７４３」▽ＱＬＣ・ＮＡＮＤ基盤の２５６ＴＢ・ＳＳＤなどを出した。

新製品ＰＭ９Ｄ３ａの場合、業界最高性能で、前作のＰＭ９Ａ３より連続読み込み・書き込み速度が２．３倍、任意読み込み・書き込み性能が２倍改善されたとサムスン電子は説明した。このほかサムスン電子はメタとともに開発中のオープンソース基盤のユーザーワークロード制御ソリューションなどを公開した。

ＮＡＮＤ型フラッシュはＤＲＡＭよりも「厳しい冬」を送っている。激しい競争と供給過剰のためだ。ＤＲＡＭの場合、サムスン電子、ＳＫハイニックス、マイクロンの三つ巴の構図だが、ＮＡＮＤ型フラッシュはキオクシア、ウェスタンデジタル、ＹＭＴＣなども生産している。サムスン電子とＳＫハイニックスは追加減産を決めた。業界２位のキオクシアは新規工場の稼動時期を遅らせ、４位の米ウェスタンデジタルとの合併を議論中だ。

専門家らはメモリー業況が下半期に入り回復傾向に入るとみている。キウム証券のパク・ユアク研究員は「７－９月期以降からサムスン電子はＤＲＡＭとファウンドリーの実績が営業黒字に転じるだろう。ＳＫハイニックスもＤＲＡＭが黒字に戻り、ＮＡＮＤの赤字幅も減るだろう」と予想する。