サムスン電子が昨年に続き今年も５０兆ウォン前後の半導体投資を継続すると予想される。いわゆる「半導体酷寒期」にも超格差投資を通じてメモリー分野で競合会社を引き離し、ファウンドリー（半導体委託生産）では台湾ＴＳＭＣに対する追撃の手綱を引き締めるという意志を明らかにしたものと分析される。

関連業界によると、サムスン電子が１４日に子会社であるサムスンディスプレーから２０兆ウォンを借り入れると公示した事実をめぐり、半導体業界だけでなく金融市場までざわついている。資金借入期間は１７日から２０２５年８月１６日までで、利率は年４．６％だ。

サムスン電子はこれまで外部からの借入をせずに兆単位の投資を進めてきた。資金も潤沢だ。サムスン電子の四半期報告書によると、昨年７－９月期末の現金と現金性資産、短期金融商品は連結基準で１２８兆ウォンに達する。これほど現金を持つ企業はない。ただサムスン電子はサムスンディスプレーの株式８５％を保有しており、このうち２０兆ウォン以上はサムスンディスプレーの資産という意味だ。

現代車証券リサーチセンター長のノ・グンチャン氏は「サムスン電子の資産の大部分が海外にあるとされている。この資金を持ってくるのは為替リスクもある。すぐに使える資金を子会社から調達するもの」と解釈した。サムスン電子も「金融機関より子会社から借り入れるのが有利と判断したもの。連結財務諸表には変化がない」と話した。

サムスンディスプレーは昨年営業利益が５兆９５００億ウォンで前年比３３．６％増えた。過去最大水準だ。アップルのｉＰｈｏｎｅ向けにパネル供給を拡大するなど中小型有機ＥＬが好調なおかげだ。

市場ではサムスン電子が今回借り入れた２０兆ウォンを含め今年だけで最大５０兆ウォン台の資金を半導体に投資すると予想する。昨年のサムスン電子の設備投資額は５３兆１０００億ウォンで、このうち９０％の４７兆９０００億ウォンが半導体に投じられた。ここ３年間の半導体設備投資は平均４１兆４６００億ウォン、研究開発費用は平均２２兆９１００億ウォンに達する。

今年もこうした基調を継続する。サムスンはこの日「今年の全体投資規模は確定していないが、メモリーの場合、昨年と同水準で、ファウンドリーも平沢（ピョンテク）キャンパスと米国テイラー工場の生産能力拡大を中心に投資を持続する方針」と明らかにした。サムスン電子の慶桂顕（キョン・ゲヒョン）社長は最近の社内説明会で「無謀で果敢に挑戦する」と強調している。

具体的には平沢キャンパス３・４ラインのインフラ拡充と５ライン造成、極端紫外線（ＥＵＶ）装備導入などに主に投資する。テイラー工場の場合、年内完工を目標にクリーンルーム確保などに集中する見通しだ。研究開発投資も継続する。サムスン電子は昨年世界で初めてゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）技術基盤で３ナノメートル（ナノは１０億分の１）量産に入った。続けて２０２７年に１．４ナノプロセス導入を宣言した状態だ。

ファウンドリー世界１位のＴＳＭＣの牽制にも対応しなければならない。ＴＳＭＣは前日米アリゾナ工場への投資額を最大３５億ドルに増やすと発表した。

産業研究院のキム・ヤンペン専門研究員は「『非常手段』を動員するほど投資を積極的に速くしなければならないというシグナル。特に人工知能（ＡＩ）用メモリー半導体と中央演算装置（ＣＰＵ）、グラフィック処理装置（ＧＰＵ）の需要が増え投資スピードを出すとみられる」と話した。成均館（ソンギュングァン）大学電子電気工学部のキム・ヨンソク教授は「ＴＳＭＣが投資を増やすとみられるのでサムスンのファウンドリーもじっとしていられない状況。最先端ナノプロセスだけでなくレガシー工程までポートフォリオを備えられるようにしなければならない」と助言した。

異例の借入の話でこの日サムスン電子の株価は１０００ウォン（１．５８％）下落し６万２２００ウォンで取引を終えた。