サムスン電子が２０２７年に１．４ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）プロセルを適用したファウンドリー（半導体委託生産）量産を宣言した。６月の３ナノを手始めに技術革新を通じてファウンドリー世界最大手である台湾ＴＳＭＣに追いつくという歩みを本格化したものだ。

サムスン電子は３日、米カリフォルニア州シリコンバレーで「サムスン・ファウンドリーフォーラム２０２２」を開き、今後のファウンドリー事業のロードマップと新技術適用計画を公開した。コロナ禍の余波で３年ぶりにオフラインで開かれた今回の行事にはファブレス（半導体設計専門企業）と協力会社などから５００人ほどが参加した。

サムスン電子ファウンドリー事業部長のチェ・シヨン社長は「ゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）基盤の工程技術革新を持続し２０２５年には２ナノ、２０２７年に１．４ナノプロセルを導入する計画」と明らかにした。ＧＡＡは半導体内部で電流の流れを制御するトランジスタの効率を上げる次世代プロセスだ。既存のＦｉｎＦＥＴプロセスより電流が流れる通路が多くなり、より多くのデータを速く伝達できる。

サムスン電子は６月に世界で初めて３ナノプロセス量産を始めた。工程革新で２ナノなど新規半導体量産計画を明らかにしたことはあるが１．４ナノまでのロードマップを公開したのは今回が初めてだ。サムスンに続き３ナノプロセス量産を始めるＴＳＭＣは２０２７年以降に１．４ナノプロセス導入が可能な見通しだ。この日のサムスン電子の発表はＴＳＭＣとの先端ナノプロセス競争で一歩リードできる点で意味がある。これとともに２０２７年までにモバイルを除いた製品群の売り上げ比率を５０％以上に拡大するという目標も出した。具体的には高性能コンピューティング（ＨＰＣ）とオートモーティブ（車両用）半導体、モノのインターネット（ＩｏＴ）など製品のポートフォリオを拡大するということだ。

４ナノプロセスをＨＰＣとオートモーティブに拡大し、エンベデッド非揮発性メモリー（ｅＮＶＭ）と無線周波数（ＲＦ）でも多様なプロセスを開発していく予定だ。現在量産中の２８ナノ車載用ｅＮＶＭソリューションは２０２４年には１４ナノに拡大し、ＲＦプロセスは８ナノに続き５ナノも開発中だ。

また、５年以内に先端プロセス生産能力を今年より３倍以上に増やす予定だ。このため現在建設中である米テキサス州テイラー市のファウンドリー工場第２ラインを「シェルファースト方式」で作る予定だ。シェルファーストは半導体を生産するクリーンルームを先に建設し、顧客の注文が入ったら設備を投じて対応する方式だ。顧客オーダーメード型サービスも拡大する。サムスン電子は迅速な納期と価格競争力を備えたオーダーメード型サービスを強化して新しいファブレス顧客を発掘する一方、大規模データセンター運営企業のハイパースケーラーやスタートアップなど新規顧客も積極的に誘致する予定だ。

チェ社長は「顧客の成功がサムスン電子ファウンドリー事業部の存在理由。サムスン電子はより良い未来を創造するパートナーとしてファウンドリー産業の新しい基準になりたい」と話した。サムスン電子はこの日ファウンドリーフォーラムをはじめ４日には顧客支援プログラムである「ＳＡＦＥフォーラム」、５日に新技術を紹介する「テックデー」を開催する。ファウンドリーフォーラムは米国のほか、欧州では７日にドイツのミュンヘンで、日本では１８日に東京で、韓国では２０日にソウルで、相次ぎ開催される。