サムスン電子が３０日、ゲートオールアラウンド（ＧＡＡ・ＧＡＴＥ－ＡＬＬ－ＡＲＯＵＮＤ）技術を搭載した３ナノメートル（ｎｍ・１ナノ＝１０億分の１ｍ）のファウンドリ（半導体委託生産）工程半導体の量産を始めたと明らかにした。ＧＡＡ基盤の３ナノ工程で半導体製作に出た企業は全世界のファウンドリ企業の中でサムスン電子が初めてだ。サムスン電子は３ナノ工程の高性能コンピューティング（ＨＰＣ）用システム半導体を最初に生産したことに続き、モバイルＳｏＣ（ システムオンチップ）で搭載を拡大していく予定だ。

サムスン電子が３ナノ工程半導体の量産に成功できたのは、半導体トランジスターで電流が流れるチャンネル４カ面をゲートが囲む形である次世代ＧＡＡ技術を世界で初めて搭載したためだ。ＧＡＡの構造はゲートの上・両側の３カ面をかばう既存のフィンフェット（ＦｉｎＦＥＴ）構造に比べて上・両側・下の４カ面をかばう。このような構造でトランジスター性能の低下を克服してデータ処理速度と電力効率を引き上げる。

さらに、サムスン電子は独自の技術を追加した。チャンネルを薄くて広い形のナノシート（Ｎａｎｏｓｈｅｅｔ）で作るＭＢＣＦＥＴＧＡＡ構造だ。狭くて長い形のチャンネルを作る一般的なＧＡＡ構造より電流をさらに細かく調整することができ、高性能・低電力半導体の設計が可能だというメリットがある。

サムスン電子関係者は「３ナノＧＡＡの第１世代工程は既存の５ナノフィンフェット工程に比較して電力は４５％削減し、性能は２３％向上し、面積は１６％縮小された」と説明した。サムスンによると、２０２３年量産予定のＧＡＡ第２世代工程は電力５０％削減、性能３０％向上、面積３５％縮小される。

サムスン電子ファウンドリ事業部のチェ・シヨン部長（社長）は「サムスン電子はファウンドリ業界でフィンフェットやＥＵＶなど新技術を先制的に導入して急速に成長し、今回もＭＢＣＦＥＴのＧＡＡ技術を適用した３ナノ工程のファウンドリサービスを世界で初めて提供することになった」として「今後も差別化した技術を積極的に開発し、工程の成熟度を早急に高めるシステムを構築していく」と話した。

サムスンはこの日、３ナノ半導体の量産を発表して「初度物量」という表現を使った。まだ新技術を搭載して多い量の半導体を生産する段階ではないとの意味だ。ファウンドリ産業は誰かに半導体の委託生産を任せなければならない。サムスンの立場では顧客を確保しなければ新技術が搭載された製品を幅広く供給することができない。

サムスン電子は業界最初のＧＡＡ技術の導入で多数の顧客を確保することができる動力を作ったとみられる。サムスン電子によると、昨年この会社のファウンドリ顧客は１００カ所以上で、２０１７年システムＬＳＩ事業部でファウンドリ事業部が分離する当時は３０カ所だったことに比べて３倍以上増えた。サムスンは技術競争力と投資に基づいて２０２６年までに３００カ所以上の顧客確保を目指している。このため、今年下半期に平沢（ピョンテク）キャンパス３ラインの稼動を控えており、米国ではテキサス州テイラーに工場を建設中だ。