尹錫悦（ユン・ソクヨル）大統領とバイデン米大統領は２０日、サムスン電子の平沢（ピョンテク）キャンパスを訪れ「半導体同盟」への意志を明らかにした。両首脳はこの日芳名録の代わりにゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）基盤の３ナノ半導体ウエハーに署名した。

２２日の業界によると、サムスン電子が今回３ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）プロセスが適用された最先端半導体ウエハーを世界で初めて公開し世界のファウンドリー（半導体委託生産）市場が揺れ動くかもしれないとの見通しが出ている。市場ではファウンドリー分野世界１位の台湾ＴＳＭＣに対抗するサムスンの「秘密兵器」という解釈が出ている。サムスンはＧＡＡ基盤の３ナノ第１世代半導体を５～６月中に量産する計画だと明らかにした。

半導体技術の発展はスイッチの役割をするトランジスターをさらに小さく、さらに多く、電力消費を減らすのが核心だ。現在の半導体工程には立体構造工程であるＦｉｎＦＥＴ技術が使われるが、平板トランジスターより効率は高いものの超微細工程に進化して限界にきている。これを解決するための技術が電流が流れるチャンネルを４面で囲むＧＡＡ構造だ。サムスンは２０年以上ＧＡＡに投資してきた。

ＧＡＡ構造では電流の流れをより細かく調整でき電力効率が改善される。ＦｉｎＦＥＴ工程との互換性が高く既存の設備と技術をそのまま使えるという長所もある。

３ナノ半導体は主に人工知能（ＡＩ）やビッグデータ、自動運転、モノのインターネットなど高性能と低電力が要求される次世代半導体に活用される見通しだ。それだけ付加価値が高い。毎回技術工程でＴＳＭＣの後を追っていたサムスンが今回は新技術で製品量産に入る意味もある。ソウル大学のファン・チョルソン客員教授は「ＧＡＡ工程の量産はサムスンが追撃者から脱却し市場先導者になるという宣言」と解釈した。ＴＳＭＣはこれまで３ナノまでＦｉｎＦＥＴ技術を適用した後、２ナノからＧＡＡを適用するという計画だった。証券業界ではＴＳＭＣが下半期にＦｉｎＦＥＴ基盤の３ナノ半導体を発売すると予想する。

ＴＳＭＣは「圧倒的な投資」計画を出した状態だ。実際に今年だけで４００億～４４０億ドル規模の設備投資計画を明らかにしているが、これは昨年の３００億ドルより最大４７％多い過去最大規模だ。業界ではＴＳＭＣが３ナノより先を行く１．４ナノ工程の開発に急いで着手するだろうという見通しも出ている。

「半導体の皇帝」インテルもやはりファウンドリー市場に再進出し積極的投資を継続している。インテルのパット・ゲルシンガー最高経営責任者（ＣＥＯ）は「来年まで３ナノ水準である『インテル３』を導入し、２０２５年からは２ナノ工程の量産を始める」という計画を明らかにしている。

サムスンが３ナノ半導体量産に成功しても残された課題は少なくない。ＧＡＡ工程そのものが非常に難度が高く歩留まり確保と安定化が当面の問題だ。今回の会談にバイデン大統領と同行したファブレス（半導体設計業者）のクアルコムはこれに先立ちサムスンのファウンドリーに任せていた４ナノの生産の一部をＴＳＭＣに移している。業界ではサムスンのファウンドリーの低い歩留まりのためという分析が出ている。

市場開拓も必要だ。サムスンとしてはアップルやエヌビディア、クアルコムのような大手企業を顧客として確保しなくてはならない。業界関係者は「サムスンが３ナノ工程製品を供給する所は知名度が低い企業と理解している」と話した。

有進（ユジン）投資証券のイ・スンウ研究員は「韓米首脳のサムスン訪問と３ナノ工程公開はサムスンが米国のファブレス企業に向け『最新半導体が必要な時に安定的に供給できる』という自信を示したもの。今回の機会を通じ米国と確実に手を組むという意味も含まれている」と話した。