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「現存最高速度・最大容量DRAM」…SKハイニックス、「HBM3」を開発

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2021.10.20 14:29
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韓国半導体大手のSKハイニックスが現存最高仕様のDRAM「HBM3」を業界で初めて開発したと20日、明らかにした。昨年7月、業界初となるHBM2の拡張バージョンであるHBM2E DRAMの量産を始めてから1年3カ月ぶり。

HBM(High Bandwidth Memory)は複数のDRAMを垂直に接続し、従来のDRAMよりもデータ処理速度を画期的に速めた高性能製品だ。今回のHBM3はHBM、HBM2、HBM2Eに続き第4世代と呼ばれる。SKハイニックス側は「HBM3の開発でHBM DRAMのうち最高速度・最大容量を実現し、品質水準を大きく引き上げた」と強調した。

HBM3は1秒当たり819ギガバイト(GB)のデータを処理することができる。SKハイニックス側は5GB容量の超高画質(FHD)クラスの映画163本に該当するデータを1秒で処理できる水準だと説明した。前世代のHBM2Eと比較して約78%処理速度が高まった。また内蔵されたエラー訂正コードでDRAMセル(Cell)に伝えられたデータエラーを自ら補正することができる。

HBM3は16GBと24GBの2種類の容量で発売される。24GBは業界最大容量だ。SKハイニックス側は「24GBを実現するために単品DRAMチップをA4用紙一枚分の厚さの3分の1である30マイクロメートルの高さに差し替えた後、このチップ12個をTSV技術で垂直接続した」と説明した。TSVはDRAMチップに数千個の微細な穴を開けて上層と下層チップを垂直で貫に電極でチップ同士を接続する技術だ。

HBM3は高性能データセンターに搭載されるほか、気候変動解釈、新薬開発などに使われるスーパーコンピュータや人工知能(AI)マシーンランニングなどに活用される展望だ。

SKハイニックスのチャ・ソニョン副社長は「世界で初めてHBM DRAMを発売してHBM2E市場をリードしたことに続き、業界初となるHBM3の開発に成功した」とし「今後もプレミアムメモリ市場を先導してESG(環境・社会・支配構造)経営に合致する製品で顧客に高い価値を提供していく」と述べた。

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    「現存最高速度・最大容量DRAM」…SKハイニックス、「HBM3」を開発

    2021.10.20 14:29
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    SKハイニックスが開発した「HBM3」DRAM。[写真 SKハイニックス]
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