「メモリー超格差は続く」サムスン電子、EUVに適用した14ナノDRAM量産へ
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2021.10.12 15:02
サムスン電子が極端紫外線(EUV)工程を適用した業界最小線幅の14ナノDRAM量産に入った。競争社よりも先を行く工程技術を導入して「メモリー超格差」を維持する戦略とみられる。
サムスン電子はEUV露光装置を使った14ナノDRAMの量産を始めたと12日、明らかにした。サムスン電子はこれまで主に15ナノ工程でDRAMを量産してきた。これに先立ち、サムスンは4-6月期の実績発表カンファレンスコールで「下半期には14ナノDRAMの5つのレイヤー(層)にEUV工程を適用する」と明らかにしたことがある。サムスン電子メモリー事業部副社長のハン・ジンマン氏は「14ナノDRAMにEUVを適用して原価競争力を確保することができると考える」と自信をのぞかせた。