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ファウンドリーで格差広がりDRAM・NANDでは追われ…サムスンは大丈夫か

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2021.04.20 09:24
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米中貿易対立によりファウンドリー(半導体委託生産)事業が「ナッツクラッカー」の境遇に追いやられたサムスン電子が、メモリー半導体でも脅威を受けている。米マイクロンなど競合企業が積極的投資を通じて領土拡張に出る中でサムスン電子のシェア下落傾向が続いている。

サムスン電子はDRAM市場では1992年から、NAND型フラッシュは2002年から世界トップを維持している。だが最近シェアは下落傾向だ。市場調査会社のオムディアが19日に明らかにしたところによると、サムスンのDRAM市場シェアは2016年の46.6%から昨年は41.7%に落ちた。4年連続でシェアが減った。これに対しマイクロンは同じ期間に20.4%から23.5%にシェアを伸ばした。SKハイニックスも同じ期間に25.6%から29.4%に増えている。NAND型フラッシュの事情も似ている。サムスン電子のシェアは2017年には38.7%まで上がったが昨年は33.9%まで落ち込んだ。日本のキオクシアは同じ期間に16.5%から18.9%に、マイクロンは10.9%から11.4%にそれぞれシェアを拡大した。

サムスン電子と後発走者とのシェア格差が狭まった根本的な理由は「技術格差」が減ったためだ。サムスン電子とマイクロンの技術格差が2年ならば、マイクロンの新製品はサムスン電子の2年前の価格で売らなければならない。だが技術格差が1年に減れば良い値段を付けられ売り上げが増える。韓国半導体産業協会のアン・ギヒョン専務は「技術が高度化するほど先頭圏企業の研究開発速度は遅くなるほかない。すると後発走者の追撃速度は速くなる。サムスン電子が強調してきた『超格差』が追いつかれ平準化する可能性も排除することはできない」と懸念する。

実際にサムスン電子は最近メモリー半導体市場で「世界初」のタイトルを相次いで競合会社に奪われた。マイクロンは昨年11月に世界で初めて176層以上の3次元(3D)第7世代VNANDを発売すると明らかにした。また、1月には世界で初めて第4世代(1a)10ナノメートルDRAMの量産に成功したと発表した。サムスン電子は第1~3世代(1x・1y・lz)10ナノDRAM量産で世界初のタイトルを持っていた。

NAND型フラッシュ市場では「王座」も脅威を受けている。トレンドフォースによると昨年10-12月期基準でサムスン電子のシェアは32.9%で1位となり、キオクシアが19.5%、ウエスタンデジタルが14.4%、SKハイニックスが11.6%、マイクロンが11.2%、インテルが8.6%と続いた。だがマイクロンとウエスタンデジタルが業界2位であるキオクシア買収を検討し、サムスンが守ってきた「不動の1位」が脅威を受けることになった。両社のうちどちらであれキオクシア買収に成功すればサムスン電子と釣り合う規模に浮上することになる。SKハイニックスも90億ドルを投じたインテルのNAND型フラッシュ事業部買収作業が仕上げに入った状態だ。

業界関係者は「サムスンが絶対強者の位置から降りマイクロン、SKハイニックスとの三つ巴を避けるのは難しくなった」と話した。韓国半導体ディスプレー技術学会のパク・ジェグン会長は「サムスンはマイクロンと技術格差を広げるのが急務。半導体ナノプロセスと生産効率など技術分野で遅れを取ってはならない」と強調した。アン専務もやはり「メモリー半導体分野に果敢で積極的な投資を通じ研究開発速度を高めなければならない」と話した。

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    2021.04.20 09:24
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    サムスン電子の李在鎔副会長が新年最初の業務開始日である4日、京畿道平沢にあるサムスン電子平沢第2工場を訪れ関係者らの説明を聞いている。[写真 サムスン電子]
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