SKハイニックス社長「今は176層NAND、600層以上可能に」
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2021.03.23 14:07
SKハイニックスの李錫熙(イ・ソクヒ)社長が22日、「今後、DRAMは10ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)以下の工程に突入し、NAND型フラッシュメモリは600層以上の積層が可能になる」と発表した。「成功したプラットフォームの革新が実現すれば10年後」という前提だ。
李錫熙社長はこの日、米国電気電子学会(IEEE)が主管した国際信頼性シンポジウム(IRPS)の基調講演で「DRAMとNANDの各分野における技術進化のために、物質と設計構造を改善し、信頼性の問題も着々と解決している」と述べた。SKハイニックスは昨年末、米マイクロンに続いて176層NAND型フラッシュメモリの開発に成功している。ことし下半期には、極紫外線(EUV)機器を活用し、第4世代の10ナノ級(1a)DRAMを生産する予定だ。