サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）副会長が２０日、京畿道華城（ファソン）事業場の極端紫外線（ＥＵＶ）専用半導体生産ラインを訪れた。今年２回目の華城事業場訪問だ。２０３０年までにシステム半導体分野もグローバル１位を達成するという「半導体ビジョン２０３０」に弾みをつけるためと解釈される。

李副会長が訪問したＥＵＶ生産ラインは、今月から７ナノメートル（ｎｍ、１０億分の１メートル）半導体生産を本格化した。米国のクアルコムやインテルなどが設計したシステム半導体を委託生産するファウンドリー製品の主力生産基地だ。李副会長は「昨年、私たちはここでシステム半導体世界一などのビジョンを出した」とし「ここで作る小さな半導体に人類社会への貢献という夢が込められているだけに挑戦をやめてはいけない」と述べた。

李副会長は先月、華城事業場半導体研究所を訪問し、３ナノ工程技術に関する報告を受けた。

サムスン電子の関係者は「相次ぐ現場訪問は『半導体ビジョン２０３０』に対する李副会長の確固たる意志を表している」と伝えた。現在サムスン電子半導体部門の売上高は約８０％がメモリー分野から生じる。メモリー分野は市場で需要と供給の変化によって業績が大きく揺れる。ビジョン２０３０には、こうした体質をシステム半導体分野を通じて安定化させるという意図がある。

ナノ工程の核心はＥＵＶ技術だ。波長が短いＥＵＶ光源を使ってウェハー（基板）に半導体回路を描く。波長は従来のフッ化アルゴン（ＡｎＦ）の１４分の１にすぎない。このため微細な回路の具現が可能だ。７ナノ・５ナノ・３ナノ半導体はこのように細く描かれた半導体の回路線幅をいう。微細な回路構成で半導体の性能を高める一方、消費電力は低めることができる。

現在、ファウンドリー企業のうち７ナノ以下の微細工程技術はサムスン電子と台湾ＴＳＭＣだけが保有している。ＥＵＶを先に導入したのはサムスン電子だ。サムスン電子は来年下半期までに３ナノチップを世界で初めて量産するという目標を設定している。

世界ファウンドリー市場でサムスン電子とＴＳＭＣの差はかなり大きい。台湾の市場調査会社トレンドフォースによると、昨年１０－１２月期の世界ファウンドリー市場シェアはＴＳＭＣが５２．７％で圧倒的トップだった。サムスン電子は１７．８％で２位を維持した。最近、サムスン電子がクアルコムの次世代モデムチップ「Ｓｎａｐｄｒａｇｏｎ　Ｘ６０」を受注し、飛躍の機会を得たという分析が出ている。