ＳＫハイニックスが第３世代１０ナノ級（１ｚ）微細工程を適用した１６Ｇｂ（ギガバイト）ＤＲＡＭを開発した。ＳＫハイニックスは２１日、「第３世代のＤＲＡＭのうち業界最高水準の容量と速度の１６Ｇ　ＤＤＲ４　ＤＲＡＭを開発した」とし「年内に量産の準備を終えて来年から本格的に市場に出荷する計画」と明らかにした。

ＤＲＡＭはパソコンやＩＴ機器から情報を速く伝達して処理する機能を担当する。２００１年に発売されたＤＤＲ　ＲＡＭは２００－４００Ｍｂｐｓの転送速度、容量は６４Ｍｂ－１Ｇｂだった。ＤＤＲの後ろの数字が１つ高くなるほど動作速度が２倍ずつ高まる。ＤＤＲ２はＤＤＲより処理速度が２倍、ＤＤＲ４は８倍ほど速い。

ＤＲＡＭは速度と容量が増えるほど電気信号を送る回路の幅はさらに狭くならなければいけない。１０ナノはこの回路の幅（線幅）を１億分の１メートルの１０ナノメートル台で描くことができる工程だ。工程段階別に１ｘ、１ｙ、１ｚに区分し、ｘからｚに向かう工程が微細になる。１ｚは１０ナノ領域内でも現在最も微細な第３世代水準に入ったという意味だ。

ＳＫハイニックスが開発したＤＤＲ４　ＲＡＭのデータ転送速度は最高速度の３２００Ｍｂｐｓで、電力の効率を大幅に高めた。また、超高価な極端紫外線（ＥＵＶ）露光工程でなくとも微細回路を描くことができ、コスト競争力を持つ。その結果、１０ナノ級第２世代（１ｙ）製品より生産性は約２７％向上し、電力消費は約４０％減らしたというのが、ＳＫハイニックスの説明だ。ＳＫハイニックスのイ・ジョンフンＤＲＡＭ開発事業１ｚＴＦ長は「第３世代１０ナノ級ＤＤＲ４　ＤＲＡＭは高性能・高容量ＤＲＡＭを求める顧客に最も適した製品」と述べた。

一方、サムスン電子は今年３月、第３世代１０ナノ級（１ｚ）８Ｇｂ ＤＤＲ４　ＤＲＡＭを開発して下半期から量産するという計画を、米マイクロンは８月に１６Ｇｂ ＤＤＲ４　ＤＲＡＭを量産すると発表している。