ＳＫハイニックスとサムスン電子がＤＲＡＭ生産ライン用の極端紫外線（ＥＵＶ）装備を発注するなどＥＵＶ技術を適用したＤＲＡＭ量産を進めている。ＥＵＶ工程は半導体のウェハーに極端紫外線を利用して回路を描いている。従来のフッ化アルゴン（ＡｒＦ）工程と比べて短い時間に高効率・超小型半導体を生産できる。産業界では第５世代（５Ｇ）移動通信の普及に合わせて超小型・高性能ＤＲＡＭを望むモバイル、サーバー企業などの要求と生産効率性を高めようとする半導体企業の動きが一致した結果という分析が出ている。

◆利川にＥＵＶ専用ライン構築

半導体装備業界によると、ＳＫハイニックスは最近、オランダＡＳＭＬに「ＤＲＡＭ量産用」ＥＵＶ装備１台を発注したことが明らかになった。ＥＵＶ装備は世界でＡＳＭＬだけが生産能力を保有する。価格はモデルによって異なるが１台あたり１５００億－２０００億ウォン（約１３８億－１８４億円）。研究開発（Ｒ＆Ｄ）用ＥＵＶ装備の場合、ＳＫハイニックスはすでに２台以上保有しているという。

業界関係者は「ＳＫハイニックスとＡＳＭＬの間でＤＲＡＭ量産用ＥＵＶの追加注文に関する話があると聞いている」と伝えた。注文した装備はＳＫハイニックスが来年下半期の竣工を目標に京畿道（キョンギド）利川に建設しているＭ１６工場「ＥＵＶ専用ライン」に入る予定だ。

サムスン電子もＤＲＡＭライン用ＥＵＶを注文したという。ＡＳＭＬは１６日、オランダで行った７－９月期の業績発表で「次世代ＤＲＡＭ生産に必要なＥＵＶ装備に対する顧客の需要に応じるため努力している」とし「来年は（ＤＲＡＭ用を含め）計３５台のＥＵＶ装備を生産する」と明らかにした。ＡＳＭＬは装備を注文した企業名を公開しなかった。業界はサムスン電子とＳＫハイニックスと推定している。

◆ファウンドリーから拡大

今までＥＵＶ装備はファウンドリー（半導体受託生産）企業の専有物だった。ＡＳＭＬの主要顧客もファウンドリー業界１位の台湾ＴＳＭＣと２位のサムスン電子ファウンドリー事業部だった。中央処理装置（ＣＰＵ）、モバイルＡＰ（アプリケーションプロセッサ）などシステム半導体分野でさらに小さく性能が優れた半導体の需要が増えたからだ。

サムスン電子は４月から線幅（回路の幅）が７ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）の工程でＥＵＶ装備を利用して製品を量産している。ＴＳＭＣも最近、「Ｎ７＋」と名づけた７ナノメートル基盤のＥＵＶ工程で製品を量産したと公式発表した。

◆微細工程にはＥＵＶが最適

ＳＫハイニックスとサムスン電子がＥＵＶ装備をＤＲＡＭ量産に活用するのは、５Ｇ移動通信の普及などで超小型・高性能メモリー半導体需要が増えているためというのが業界関係者の説明だ。工程が微細化されれば同じウェハーでより多くの半導体を生産し、性能（集積度）も高めることができる。

最近ＤＲＡＭ微細工程技術は１０ナノメートル序盤まで発展した。現在ＤＲＡＭ生産に広く使われるＡｒＦ工程でも１０ナノメートル台のＤＲＡＭを量産できる。問題は効率性だ。

ＡｒＦ工程で微細回路を描くには複雑な回路をいくつかの部分に分けて重ねて描く「パターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）」過程が必要となる。ＥＵＶ装備を使えばパターニング過程を減らすことができる。半導体企業の関係者は「ＥＵＶ装備を活用すれば高効率・超小型チップを生産でき、製造時間もかなり短くなる」とし「価格が高くてもＥＵＶ装備を注文するのが長期的には生産性の向上につながるだろう」と述べた。

半導体業界はＥＵＶ装備引き渡しまでにかかる時間と国内半導体企業のＥＵＶ専用ライン竣工時期、技術開発日程などを勘案すると、早ければ来年下半期からＥＵＶ工程でＤＲＡＭが量産されると見込んでいる。

◆ＥＵＶ（極端紫外線）工程

極端紫外線（ｅｘｔｒｅｍ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）波長の光源を利用してウェハーに回路を描く製造工程。従来の工程に適用中のフッ化アルゴン（ＡｒＦ）光源に比べて波長が約１３分の１水準と短く、パターンをより微細に刻むことができる。工程段階を減らしてコストを抑え、半導体製品を小さくできる。