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サムスン、ファウンドリー顧客確保に向け「次世代3ナノ工程技術」公開

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2019.05.16 11:20
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サムスン電子が2020年以降に導入する先端技術の次世代3ナノ半導体工程技術をファブレス企業(チップ設計会社)に公開した。ファウンドリー(半導体委託生産)分野の顧客を確保するために次世代工程技術をファブレス企業と共有することにしたのだ。より多くの顧客を確保する必要があるファウンドリー分野の世界トップに向けて本格的に動き出したということだ。

サムスン電子は14日、米サンタクララマリオットホテルで「サムスン・ファウンドリー・フォーラム2019」を開催した。サムスン電子側は「今年のフォーラムで半導体の3GAE(3ナノGate-All-Around Early)工程設計キットを顧客に配布した」と明らかにした。3GAE工程設計キットはファウンドリー企業のサムスン電子の製造工程に最適化した半導体をファブレス企業が設計できるよう支援するプログラム。特にサムスン電子の3GAEは、現在の最新技術に挙げられる7ナノ基盤のチップに比べ面積が45%縮小し、ウェハ1枚からより多くのチップを生産できる。また、消費電力が50%ほど減少し、性能は35%向上するというのが、サムスン電子の説明だ。

 
サムスン電子が宣言した「2030年までに非メモリー半導体1位」を達成するためにはファウンドリーとシステムLSI半導体市場のシェアを高める必要がある。このうちファウンドリーは微細工程技術の争いとなる。誰がチップの面積を縮小し、性能を高め、生産効率性を高めるかという競争だ。サムスン電子が今回のフォーラムで未来の市場を主導する3ナノ基盤の工程技術をファブレス企業と共有したのは結局、サムスン電子にチップの生産を任せるファブレス企業をより多く確保しようという意志が込められているということだ。

サムスン電子は「一歩進んで3ナノ工程で独自のMBCFET(Multi Bridge Channel FET)技術を通じて差別化した利点をファブレス顧客に提供する計画」と明らかにした。MBCFETは半導体に電流を流す際に従来の細くて長いワイヤー形態のGAA(Gate-All-Around)構造をさらに発展させ、紙のように薄くて長いナノシートを積層する方式で性能と電力効率を高め、従来の半導体設備と製造技術を活用できるという長所がある。

またサムスン電子はファブレス顧客に設計の便宜を提供するため「SAFE-クラウド」サービスを始める。アマゾン・ウェブ・サービス(AWS)、マイクロソフト(MS)、設計自動化ツール(EDA)会社ケイデンス、シノプシスと共に進め、速度とセキュリティー性が検証されたクラウド環境を提供する。ファブレス顧客がSAFE-クラウドサービスの工程設計や設計自動化ツールなどを利用すれば、投資を減らしながら迅速に半導体を製作できるというのが、サムスン電子の説明だ。

サムスン電子の鄭殷昇(チョン・ウンスン)ファウンドリー事業部社長は「今回のフォーラムを通じてファブレス企業と、半導体工程と生産、パッケージ分野の進んだ技術とビジョンを共有し、ファウンドリー市場での位置づけをさらに高めることができるはず」と述べた。

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    サムスン、ファウンドリー顧客確保に向け「次世代3ナノ工程技術」公開

    2019.05.16 11:20
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    米サンタクララで14日に開催された「サムスン・ファウンドリー・フォーラム2019」で、鄭殷昇(チョン・ウンスン)サムスン電子ファウンドリー事業部社長が演説している。(写真=サムスン電子)
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