ＳＫハイニックスがＮＡＮＤ型フラッシュメモリーのうち最多層の９６層４Ｄ（４次元）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発に成功した。

ＳＫハイニックスは４日、「３Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュに主に適用されるＣＴＦ構造にＰＵＣ技術を結びつけた９６層５１２ギガビットの４ＤＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを先月、世界で初めて開発し、年内に最初の量産に入る」と発表した。９６層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは世界１位のサムスン電子と２位の東芝メモリが今年下半期に量産を始めた現存最高性能のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー。

昨年４月に７２層３Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュを開発したＳＫハイニックスは１年半ぶりに９６層技術まで完成させた。チップのサイズは従来の７２層５１２ギガビット３Ｄ　ＮＡＮＤより３０％以上小さい。このためスマートフォン用モバイルパッケージにも搭載可能だ。ウェハーあたりのビット生産も１．５倍向上した。同時に処理が可能なデータ量は業界最高水準の６４キロバイトと倍増した。新製品チップ一つで、従来の２５６ギガビット３Ｄ　ＮＡＮＤ２個分に相当する。ＳＫハイニックス側は「書き込みと読み出しの性能が従来の７２層製品よりそれぞれ３０％、２５％向上した」と強調した。

ＳＫハイニックスが今回「世界初」タイトルをつけた理由は、従来の一部の企業が２Ｄ　ＮＡＮＤで採用した構造（フローティングゲート）の代わりに３Ｄ　ＮＡＮＤとして使用するＣＴＦ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｔｒａｐ　Ｃｅｌｌ）構造にＰＵＣ（Ｐｅｒｉ　Ｕｎｄｅｒ　Ｃｅｌｌ）技術を結びつけたからだ。ＰＵＣ技術はデータを保存するセル領域の下部にセルの作動を掌握する周辺部（Ｐｅｒｉ）回路を配置する技術。マンション（ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー）に必要な駐車場を建物の隣ではなく、空間効率を上げるため地下に設置したのと似た原理だ。

ＳＫハイニックスは今回の９６層４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを、忠清北道清州（チョンジュ）で先月竣工して本格的な稼働に入ったＭ１５工場で量産する予定だ。

今回の新製品開発を受け、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場で相対的に競争力が低かったＳＫハイニックスがＮＡＮＤ主導権競争で頭角を現わすかどうかが注目される。ＳＫハイニックスは世界ＤＲＡＭ市場でサムスン電子に続いて２番目だが、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場では約１０％のシェアで、サムスン電子、東芝、ウエスタンデジタルに続いて４番目にとどまっている。昨年のＳＫハイニックスの売上高でＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが占める比率は約２２％だったが、今年上半期には１８％に落ちた。

さらにＮＡＮＤ型フラッシュメモリー価格はメモリー半導体の供給拡大と需要不振で今年９％以上も下落し、「半導体危機論」が強まっている。ＳＫハイニックスは新製品を通じて供給を拡大し、危機論を突破するという戦略だ。

まずＳＫハイニックスは４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを搭載した１ＴＢ（テラバイト）容量の消費者用ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）を年内に出す予定だ。ＳＳＤとは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに情報を保存する次世代大容量保存装置。

ＳＫハイニックスのキム・ジョンテ常務（ＮＡＮＤマーケティング担当）は「ＣＴＦ基盤の９６層４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは業界最高レベルのコスト競争力と性能を同時に備えている」とし「今回と同じ技術を適用した次世代１２８層４Ｄ　ＮＡＮＤも同時に開発している」と明らかにした。