中国半導体の空襲…「サムスンより速い32段NAND量産」(2)
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2018.08.09 09:22
Xタッキング技術の信頼性とは関係なく中国のNAND追撃速度は脅威的だ。専門家らは韓国が可視化する中国の空襲を引き離し世界トップの座を守るためには「超格差戦略」が必要と口をそろえる。漢陽大学電子融合工学部のパク・ジェグン教授は「人工知能(AI)、5G、クラウドなどで代表される第4次産業時代には高性能・高容量メモリー半導体の需要が増えるだろう。莫大な資源を背にした中国を引き離すためには手を出せない水準の圧倒的技術的優位を占めなければならない」と話す。
サムスン電子は京畿道平沢市(キョンギド・ピョンテクシ)に30兆ウォン以上を投資して半導体ラインを追加建設する計画だ。SKハイニックスも15兆ウォンを投じて京畿道利川市(イチョンシ)に半導体工場を新しく建てる。
最近サムスン電子メモリー事業部フラッシュ開発室長のキョン・ゲヒョン副社長は「V NANDのラインナップを拡大し次世代メモリー市場の変化をさらに加速化するだろう」と明らかにした。