「メモリー半導体自給自足」のための中国の銭海戦術が本格化している。中国国営企業の紫光集団は南京に３００億ドル（約３５兆ウォン）をかけてメモリー半導体工場を作る。

ここではデータ保存に使われる３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュとデータ処理に活用されるＤＲＡＭ半導体を生産する。すべてサムスン電子とＳＫハイニックスの主力製品だ。紫光集団の子会社であるＸＭＣは昨年３月、武漢に２４０億ドル（約２８兆ウォン）でメモリーチップ工場を建設すると発表した。１０カ月間で６３兆ウォンの投資計画を出したのだ。

サムスン電子の半導体設備投資額が年間１２兆～１５兆ウォンであることを考慮すれば中国の投資規模がどの水準なのかを計ることができる。２０１４年に中国政府が「２０２５年までに１兆元を注ぎ込んで半導体産業を起こす」として半導体崛起を宣言して３年、韓国輸出の柱であるメモリー半導体産業で中国の猛追撃が始まったのだ。

ドナルド・トランプ米大統領の就任式が挙行されたちょうどその日の２０日に投資計画が明らかにされたのは偶然ではない。中国の戦略はもともと「米国企業買収」だった。世界のメモリー市場を制覇した韓国に追いつく道は次の強者である米国の技術・人材をまるごと買い入れる方法だけという判断からだ。２０１５年以降、米国のマイクロン、サンディスクを狙ったがその度に失敗に終わった。「中国の半導体産業は米国の安保に脅威となる」という米国議会・政府の牽制のためだ。

中国の半導体産業に対するトランプ政権の牽制はオバマ政権時代よりさらに強化される見通しだ。商務長官に指名されたウィルバー・ロス氏は１９日の承認聴聞会で「オバマ政権と中国半導体産業に対する見方を共有した。中国の半導体育成政策は非常に懸念される」と明らかにした。

韓国半導体産業協会のアン・ギヒョン常務は「中国が『長い時間がかかっても直接作る』という方向に旋回したのはこうした米国の牽制が大きく作用した」と説明した。

それでも中国は技術があって工場を作るのではない。半導体業界は中国政府が「ひとまず工場を作って技術を開発する」という「先投資、後開発」の戦略を選んだものと分析する。特にマンションを作るようにメモリーセルを積み上げて作る３ＤＮＡＮＤ型フラッシュ製品は工場を作っても製造技術を蓄積するのに１年以上の時間がかかる。世界２位のＮＡＮＤ型フラッシュメーカーである東芝がまだ本格的に３Ｄ製品は量産に入れていないほどだ。


中国半導体独立宣言…１０カ月間で６３兆ウォンの新規投資計画（２）