ＳＫハイニックスと日本の東芝が５日、次世代半導体技術を共同開発するための本契約を締結した。共同開発する技術はナノ・インプリント・リソグラフィ（Ｎａｎｏ　Ｉｍｐｒｉｎｔ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、ＮＩＬ）だ。ＮＩＬはメモリー半導体に今よりはるかに微細なパターンを作ることができる次世代工程技術だ。投資コストが相対的に少なく経済性が高いという評価を受けている技術でもある。

共同開発は４月から横浜の東芝工場で両社エンジニアが協業する方式で進める。実際の生産に適用される時点は２０１７年頃とした。２つの会社は２００７年に特許相互ライセンス契約を締結し、２０１１年から次世代メモリー「ＳＴＴ－ＭＲＡＭ」も共同開発している。昨年、技術流出事件で訴訟にもつれ込んだが昨年末に互いに訴訟を取り下げて再び協力を強化した。

ＮＩＬ技術の共同開発は昨年１２月に了解覚書（ＭＯＵ）を締結した件だ。ＳＫハイニックス側は「今回の協力を通じて両社が新技術を確保できることになり、メモリー半導体の先頭集団企業として位置づけをさらに強化できるだろう」と期待した。ＳＫハイニックスはＤＲＡＭ市場で世界２位、東芝はＮＡＮＤ型フラッシュメモリー部門で世界市場占有率２位だ。