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サムスン、NAND型フラッシュメモリ市場1位…東芝と10%の格差

ⓒ 中央日報日本語版2014.08.22 10:25
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サムスン電子が今年4-6月期の半導体NAND型フラッシュメモリ市場で占有率30%以上で1位を獲得、これに伴いサムスンと東芝の占有率格差は1-3月期8.6%ポイントから4-6月期は10.3%ポイントに広がった。

22日、半導体電子商取引サイトのDRAMエクスチェンジの報告書によると、サムスン電子の4-6月期NAND型フラッシュメモリの売り上げ(ブランド基準)は23億5300万ドルで前分期より8.2%増加した。

金額基準占有率は30.8%で前分期(30.0%)より0.8%ポイント上がった。

これに対し、1987年最初にNAND型フラッシュメモリを開発した元祖メーカーの東芝は4-6月期売り上げが直前分期比1.2%ポイントの増加にとどまった。4-6月期の占有率は20.5%で、1-3月期(21.4%)より0.9%ポイント落ちて3位との格差は0.8%ポイントだ。

占有率3~5位は米国のサンディスク(19.7%)とマイクロン(12.9%)、SKハイニックス(9.5%)の順だ。

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