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サムスン「20ナノDRAM」量産、「技術の限界」越え

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2014.03.12 11:29
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サムスン電子が20ナノDRAMの量産に成功し、半導体分野の主導権を固めた。

サムスン電子は11日、「世界で初めて20ナノメートル(nm)4ギガビット(Gb)DDR3 DRAM量産に入る」と明らかにした。1ナノメートルは10億分の1メートル。20ナノは髪の毛の厚さの2500分の1にすぎない銅線を連結し、DRAM半導体を作る。サムスン電子はNAND型フラッシュメモリー部門では2012年から10ナノ工程で量産を始めたが、構造が複雑で高速で作動するDRAMは25ナノが技術的な限界だった。

20ナノDRAM量産体制を整え、生産コストは大幅に下がる見込みだ。20ナノDRAMは25ナノ工程に比べて生産性が30%以上、30ナノ級DRAMに比べると2倍ほど高い。同じ大きさのウェハーを切ってDRAMチップを作る。線幅が細くなるほどチップは小さくなり、それだけ同じ材料と時間でより多くのものを作ることができるからだ。

さらに大きな強みは消費電力だ。細い回路であるほど少ない電力で駆動できる。20ナノDRAMは25ナノDRAMに比べ消費電力が25%ほど減る。サムスン電子の全永鉉(チョン・ヨンヒョン)メモリー事業部戦略マーケティングチーム長(副社長)は「低電力20ナノDRAMは限られたバッテリーを使うスマートフォンやタブレットなどモバイル機器で効率的。相対的に高い価格で売れるので多くの利益が生じる」と説明した。

20ナノDRAMは、従来の製造設備をそのまま利用して量産に成功したのが特徴だ。新しい微細工程を開発すれば、それに合う生産設備をそろえるために数千億ウォンから数兆ウォンの費用がかかった。しかし独自に半導体回路線を描く露光技術を改良し、従来の装備を活用できる道を探した。全副社長は「10ナノ級DRAMを量産できる基盤技術を用意した」と強調した。

サムスンは20ナノDRAMの量産に成功し、ライバル企業との差をさらに広げた。市場調査会社DRAMエクスチェンジによると、サムスン電子は昨年、グローバルDRAM市場の36.7%を、NAND型フラッシュメモリー市場では38.4%を占め、メモリー半導体市場で確固たる1位を守っている。

メモリー半導体市場はサムスン電子をSKハイニックスと米マイクロンが追撃する様相だ。2000年代末までDRAM市場では韓国企業が日本エルピーダ、独キモンダ、米マイクロン、台湾のナンヤ・パワーチップなどと激しく競争した。生産費にもならないほどの出血競争をした結果、キモンダとパワーチップは2010年ごろ破産した。昨年破産したエルピーダは最近、13年で看板を下ろし、マイクロン・メモリ・ジャパンとして再編された。

業界ではサムスンが20ナノDRAMの量産で主導権を強化するとみている。マイクロンはエルピーダの工場を含めても昨年10-12月期を基準に20ナノ台工程の比率が全体の21%と、サムスン電子(68%)やSKハイニックス(63%)を大きく下回る。2年以上も差が開いたのだ。

チュ・デヨン産業研究院研究委員は「20ナノDRAM量産は停滞したパソコン市場より成長の勢いが強いモバイル機器市場を中心にサムスンの競争力を固めるだろう」とし「モバイル機器が拡大し、サムスン電子半導体部門の実績も良くなる可能性がある」と分析した。



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