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SKハイニックス、4倍速「超高速DRAM」初めての開発

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2013.12.27 08:57
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SKハイニックスが世界で初めてDRAMを4段で積み上げた超高速メモリー(HBM)を開発した。既存のDRAM製品と比較してデータ処理は4倍の速度で、電力消費は40%ほど減る。京畿道(キョンギド)利川(イチョン)に位置する本社工場で来年下半期から本格的に量産される予定だ。

SKハイニックスはTSV(シリコン貫通電極)技術を適用したHBMを米国半導体会社であるAMDと共同開発したと26日に発表した。HBMは国際半導体標準協議機構(JEDEC)で標準化を進行中である次世代メモリー半導体製品だ。既存DRAM製品対比性能が高くて容量が大きくなりつつも、電力の消耗がを少なくなるという長所がある。新製品は1.2V電圧で1GBpsの処理速度を出し、合計1024個のインターフェイスを持ち、1秒当たり128GBのデータ処理が可能だ。現在のメモリー半導体業界で最も性能が良いGEER5(1秒当たりデータ処理28GB)より4倍以上速い。

今回の新製品は世界のDRAM半導体市場でも画期的な製品になる展望だ。核心は新しく適用したTSV技術だ。TSVはいくつかのチップを垂直に貫く電極を形成してチップ間に電気的信号を伝達する方式を使う。これまで、半導体業界ではチップを積み上げるたびにそれぞれのチップをつなぐためにシリコン基板表面に行く線を別々に連結してきた。SKハイニックス関係者は「半導体工程が微細化されるほど、この線の干渉現象が激しくなって製品のサイズも大きくなったが、TSV技術を活用してチップを垂直に連結すれば製品のサイズを減らしながらも干渉現象を最小化することができる」と説明した。

新しいHBMは高仕様グラフィック市場を始め、今後サーバー、スーパーコンピュータ、ネットワーク市場に使われる展望だ。SKハイニックスは新しいHBMをひとつのチップに複数搭載し、一つのパッケージを成し遂げる形態(システム・イン・パッケージ)形態で供給するという計画だ。ホン・ソンジュDRAM開発本部長(専務)は「HBM製品の来年の商用化をスタートに、製品ポートフォリオをより一層強化してメモリー市場での主導権を継続する」とコメントした。

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