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SKハイニックス、16ナノNAND型フラッシュメモリー量産へ(1)

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2013.11.21 16:40
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SKグループに買収された後、大幅黒字を出しているSKハイニックスが、技術力でも世界トップレベルであることを立証した。

SKハイニックスは世界で最も微細な16ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)工程を適用した64Gb(ギガビット)マルチレベルセル(MLC)NAND型フラッシュメモリーの量産に入ると20日、明らかにした。

 
今年6月に世界で初めて16ナノ工程を適用した第1世代の製品を量産したのに続き、今度はチップのサイズを小さくした第2世代の製品の量産を始めたのだ。チップの大きさを縮小すれば、同じウエハーでもより多くのチップを作ることができる。それだけ生産性を高め、単価を低めることが可能だ。

SKハイニックス側は「現在市場に出ている製品のうち最も容量が大きい128GbのNAND型フラッシュメモリーも開発を完了し、来年初め量産に入る計画」と述べた。

半導体専門市場調査会社アイサプライによると、SKハイニックスは今年4-6月期の売上高を基準に、NAND型フラッシュメモリー世界市場の14.7%を占めている。昨年1-3月期(11.1%)に比べ3.6ポイント高く、3位のマイクロン(15.9%)に迫っている。DRAMのシェアは29.4%で、トップのサムスン(32.9%)との差を縮めた。

世界半導体業界は工程微細化競争に力を注いでいる。サムスンは今年、世界で初めて垂直構造技術を開発し、128GbのNAND型フラッシュメモリーを量産している。SKハイニックスは回路の間に絶縁物質ではなく空間で絶縁層を形成するエアギャップ技術でチップのサイズを縮小した

SKハイニックスの関係者は「微細工程技術に関してはサムスン電子に遅れをとらないと自負している。今後は垂直NAND型フラッシュメモリーの開発も加速し、顧客の需要に積極的に対応していく」と述べた。


SKハイニックス、16ナノNAND型フラッシュメモリー量産へ(2)

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