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サムスン、中国にNAND型フラッシュ工場設立

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2012.01.05 08:21
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サムスン電子が中国にNAND型フラッシュメモリー生産ライン工場を設立するとして提出した技術輸出申告を、韓国政府が4日、最終受理した。その代わり政府は違法技術流出が発生しないようサムスン電子に対策を立てさせ、その運営実態を定期的に点検すると明らかにした。またサムスン電子は韓国国内の半導体投資を増やすという内容の補完対策も用意した。

サムスン電子は12月6日、中国にMP3・携帯電話などに使われるNAND型フラッシュメモリーラインを建設するという内容の申請書を出した。サムスン電子が海外に半導体工場を設立するのは、米テキサス州オースティンに続いて2カ所目。

中国工場では10ナノ級NAND型フラッシュが生産される予定だ。これは韓国国内で今年量産する予定の最新製品。月間生産規模は12インチウェハー10万枚ほどで、国内外にある16カ所の半導体ラインのうち中間レベルの生産能力となる。

この日、申告が受理されたことで、サムスン電子は年初、工場敷地選定と中国内の認可手続きを終える計画だ。具体的な場所はまだ決まっていないが、サムスン電子は用水・道路・物流など基本的な立地条件、取引企業とのアクセス、土地賃貸条件などを全体的に検討する方針だ。

サムスン電子の関係者は「今年上半期に着工して、来年下半期から量産に入る予定」と述べた。投資規模はまだ確定していないが、先端半導体生産ラインを設立するには普通3兆-5兆ウォン(約2000億-3300億円)ほどかかる。

今回の決定について韓国政府は慎重に検討した。政府と民間専門家で構成された産業技術保護専門委員会は今回、サムスン側に技術流出対策とともに国内投資縮小懸念に対する補完対策も要請した。中国進出によって韓国での投資が縮小するという懸念が生じたからだ。

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