サムスン、中国にNAND型フラッシュ工場設立
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2012.01.05 08:21
サムスン電子が中国にNAND型フラッシュメモリー生産ライン工場を設立するとして提出した技術輸出申告を、韓国政府が4日、最終受理した。その代わり政府は違法技術流出が発生しないようサムスン電子に対策を立てさせ、その運営実態を定期的に点検すると明らかにした。またサムスン電子は韓国国内の半導体投資を増やすという内容の補完対策も用意した。
サムスン電子は12月6日、中国にMP3・携帯電話などに使われるNAND型フラッシュメモリーラインを建設するという内容の申請書を出した。サムスン電子が海外に半導体工場を設立するのは、米テキサス州オースティンに続いて2カ所目。
中国工場では10ナノ級NAND型フラッシュが生産される予定だ。これは韓国国内で今年量産する予定の最新製品。月間生産規模は12インチウェハー10万枚ほどで、国内外にある16カ所の半導体ラインのうち中間レベルの生産能力となる。