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サムスン、世界初の10ナノメモリーの試作品を公開
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サムスン、世界初の10ナノメモリーの試作品を公開
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版
2011.11.11 10:59
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サムスン電子が半導体開発の技術的限界をさらに乗り越えた。
同社はサムスングループ内の研究陣を対象に11日まで開かれる「サムスン技術展2011」で世界初の10ナノ級NANDフラッシュメモリー新製品を公開した。サムスン総合技術院で開発した試作品だ。