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サムスン、世界初の10ナノメモリーの試作品を公開

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2011.11.11 10:59
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サムスン電子が半導体開発の技術的限界をさらに乗り越えた。

同社はサムスングループ内の研究陣を対象に11日まで開かれる「サムスン技術展2011」で世界初の10ナノ級NANDフラッシュメモリー新製品を公開した。サムスン総合技術院で開発した試作品だ。

サムスン電子関係者は、「まだテストチップ段階で量産時期を具体化するのは難しい。技術確保の次元で見てほしい」としながらも、「がんばって準備すれば来年上半期中に量産に入れるだろう」と付け加えた。

サムスン電子は今年5月に世界初の20ナノ級NANDフラッシュ基盤のマイクロSDカード量産に入っている。だが、10ナノ級製品量産はこれとは次元が異なる問題だ。10ナノ級製品はこれまで半導体技術の「物理的限界点」と見られてきた。10ナノとは半導体回路線幅が10ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)という意味だ。20ナノ級まではセル構造の改善や新物質の適用などの方法で到達が可能だが、10ナノ級からは微細化に新しい技術が必要というのが業界の説明だ。限界を超えるには莫大な投資が必要だが、サムスン電子がこれを果敢に進めたことによって競争会社との技術格差を維持できる足がかりを確保したという分析だ。ナノ工程を微細化するほど半導体チップのサイズが小さくなり、ウェハー当たりの生産量が増える。製造単価が低くなることにより競争力は非常に高くなる。

サムスン電子の全東守(チョン・ドンス)メモリー事業部社長は最近記者らと会い、「発想を転換すれば技術的限界は乗り越えられる。絶え間ない革新を通じ10ナノ以下にさらに発展していくことができるだろう」と話した。

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