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サムスン電子、マイクロンと提携で次世代半導体開発へ

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2011.10.08 11:47
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サムスン電子がライバルの米マイクロンと提携し、次世代半導体技術の開発に取り組む。

サムスン電子は、低電力半導体メモリー「ハイブリッドメモリーキューブ(HMC)」の共同開発のためマイクロン社と提携することになったと7日、明らかにした。サムスン電子の関係者は「ひとまずコンソーシアムはサムスン電子・マイクロンで始めるが、技術開発と標準化のため、他の企業が追加で合流する可能性がある」と説明した。

HMCは現在DRAMの主流であるDDR3に代わる次世代メモリーの一つ。サムスン電子は昨年12月、DDR3に比べて処理速度を2倍ほど高められるDDR4を開発したが、HMCはこれを上回る半導体と評価されている。

HMCはDRAMを3次元形態に積んでデータ処理能力を高める。また従来のDRAMに比べて電力の消費は70%、信号遅延現象は60%ほど減らせる。

業界関係者は「DDR3と似た消費電力で性能は10倍ほど向上させられる」とし「2015年ごろ大量生産が可能」と予想した。

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