三星（サムスン）電子が次世代高精密液晶表示装置（ＬＣＤ）の核心技術を日本研究チームから買ったと、日本の各メディアが２１日報じた。

三星電子は、細野秀雄東京工業大教授が発明した高性能薄膜トランジスタ（ＩＧＺＯ　ＴＦＴ）の特許ライセンス契約を、研究支援機関の日本科学技術振興機構（ＪＳＴ）と締結したと２１日、明らかにした。

この薄膜トランジスタは水素化アモルファスシリコン（Ｓｉ）で作った従来のアモルファス半導体とは違い、インジウム（Ｉｎ）・ガリウム（Ｇａ）・亜鉛（Ｚｎ）・酸素（Ｏ）を材料にした透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ）で、電子移動速度は従来に比べて１０－２０倍速いという。 これをＬＣＤに応用する場合、解像度を１０倍ほど高められると期待されている。

三星電子はこの技術をスマートフォンのほか、大型および３次元型ディスプレーの開発に適用し、１－２年後に製品化する計画だ。

三星は今回の契約で製品の売り上げの数％を日本側に支払うことになる。 日本側は今回の特許料収入について、赤崎勇名古屋大特別教授が開発した青色発光ダイオードの特許料収入（約５６億円）に匹敵する可能性があると予想している。