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256M DRAMを世界初開発 「金泳三大統領が日本を越えたと大喜び」

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2011.01.05 16:50
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世界最大の半導体企業インテルを創業したゴードン・ムーアは1965年、半導体技術の発展速度を分析した結果、1年6カ月ごとに一つのチップに入るトランジスターの数が2倍ずつ増えるという「ムーアの法則」を発表した。 02年の国際半導体学会(ISSCC)で、三星(サムスン)電子の当時の黄昌圭(ファン・チャンギュ)半導体総括社長(58、写真)は「メモリー半導体容量が1年に2倍ずつ増える」という「黄の法則」を主張した。 いわゆる「メモリー新成長論」だ。

最近、ソウル駅三洞(ヨクサムドン)の事務所で、黄昌圭知識経済R&D(研究開発)戦略企画団長に会った。 昨年4月、国家CTO(最高技術責任者)としてこの席に座った。 「国家CTO」とは、韓国の中長期戦略産業を発掘・育成する任務を知識経済部から委嘱された長官級の民間専門家。

64K DRAMを開発したが、日本の壁を越えるのは容易でなかった。 黄氏は韓国半導体が日本を確実に追い越す契機になった256M DRAM開発の主役。 黄氏は「半導体神話を継続するためにはシステム半導体に力を注ぐ必要がある」と助言した。 システム半導体とは自動車やヘルスケア機器に入る駆動チップ。 韓国の世界市場シェアは3%にもならない。 黄氏は「情報技術(IT)融・複合型システム半導体は私たちも作れる。 特にモバイルシステムに力を注げば、近い将来、私たちが半導体統合チャンピオンになるだろう」と確信した。

--64K DRAMが経済国宝に選ばれたが。

「経済国宝として意味がある。 開発当時、私たちの研究員を冷遇したマイクロンの役員らと00年に一緒に食事をしたが、私たちをベンチマーキングしようとする姿を見て隔世の感を感じた。 続いて11年後、256M DRAMの開発に成功し、日本の技術を確実に追い越した。 256M DRAMは日本より6カ月以上も先に開発し、韓国が技術優位にあるという事実を世界に知らせた。 その日以降、三星は完全な技術自立を成し遂げ、追う側から引っ張っていく側に地位が変わった」

黄団長は当時、こうした事実を広く知らせるために庚戌国恥の日(8月29日)を発表日に決めた。 紙面には世界初の256M DRAM開発という広告を出し、旧韓国末の太極旗(テグッキ、韓国の国旗)を使用したりもした。

--256M DRAMは独自の技術で開発したのか。

「逆説的に日本との技術交流が大きな力になった。 それまで積み上げた技術力がなかったとすれば、日本との技術交流も難しかったはずだ。 開発成功後、開発チーム20人余りが金泳三(キム・ヨンサム)大統領の招待を受けて青瓦台(チョンワデ、大統領府)で食事をしたが、日本を越えたという事実に大喜びしていた金大統領の姿が記憶に残っている」

--その後、1G(ギガ)DRAMに続く数多くの開発競争で、最も核心的な競争優位要素を選ぶなら。

「メモリー半導体の差別化だ。 例えば00年に入って50兆ウォンのゲーム機市場が形成された。 高速でデータを処理できるグラフィックメモリーが必須だった。 マイクロソフトのビル・ゲイツ会長の要請でグラフィックメモリーを供給した。 技術開発も重要だが、市場が要求する技術を把握して確保することも重要だ」

--NAND型フラッシュメモリー市場を育成したが。

「これも世界最大携帯電話企業であるノキアと提携したため可能だった。 01年にNAND型フラッシュメモリーを育成した当時、インテルとAMDが主導したNOR型が市場の90%を占め、NAND型は10%にすぎなかった。 01年にノキアを説得し、ノキアが望む通りにNAND型フラッシュメモリーを作った。 市場はNAND型のシェア90%に変わった」
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    256M DRAMを世界初開発 「金泳三大統領が日本を越えたと大喜び」

    2011.01.05 16:50
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    黄昌圭・元三星電子半導体総括社長。
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