サムスン電子が第５世代の３次元（３Ｄ）Ｖ－ＮＡＮＤフラッシュメモリを本格量産する。２０１６年１２月に第４世代２５６ギガビット（Ｇｂ）ＮＡＮＤの量産を始めてから１年７カ月ぶりで次世代製品に進化するのだ。サムスン電子は世界で初めて２５６Ｇｂ容量の第５世代Ｖ－ＮＡＮＤを量産すると１０日に発表した。データ処理スピードは速くなり電力消費は減らしたのが特長だ。

第５世代Ｖ－ＮＡＮＤには次世代ＮＡＮＤインターフェースと呼ばれる「トグルＤＤＲ　４．０」規格が初めて適用された。データ処理速度が１秒当たり１．４Ｇｂで第４世代と比較して４０％速い。動作電圧は１．８Ｖから１．２Ｖに３３％減らして、データ使用時間は３０％速い５００マイクロ秒となった。

第５世代Ｖ－ＮＡＮＤは「３次元（円筒形）ＣＴＦセル」が９０段以上積む方式で作る。フラッシュメモリは段数が高いほど同じ容量を実現するチップが少なくなる。同じ面積に一戸建て住宅よりマンションを作れば効率が高まるのと似た道理だ。既存の第４世代では平面基板の上に６４段までセルを積み上げた。同社は最上段から最下段まで直径数百ナノメートル（ｎｍ）の微細な穴を垂直にあけて安定性・効率性を拡大した。

サムスンは京畿道（キョンギド）の平沢（ピョンテク）工場で第５世代Ｖ－ＮＡＮＤを生産し、市場状況により供給量を増やす方針だ。東芝、ＷＤＣ、マイクロンなど競合会社が第４世代６４～７２段製品を主力にしているという事実を考慮すると、サムスンとしては「格差拡大」に成功した。業界ではサムスンがこれら企業より２年ほど先を進んでいると評価する。中国は今年３２段３Ｄ－ＮＡＮＤを量産する計画だ。第２世代程度の技術だ。市場調査機関のＤＲＡＭエクスチェンジによると、サムスン電子は今年１－３月期に３７％のＮＡＮＤフラッシュシェアを記録している。ＮＡＮＤフラッシュ価格が下落傾向の中で収益性維持にも一役買う見通しだ。

同社フラッシュ開発室長のキョン・ゲヒョン副社長は、「今後半導体チップひとつに１兆個以上の情報を保存する１テラビット（Ｔｂ）Ｖ－ＮＡＮＤと、ひとつのセルに４ビットを入れるＱＬＣ製品にラインナップを拡大し市場変化を主導する」と話した。