米裁判所「サムスン電子、KAISTに特許侵害4億ドル賠償せよ」

米裁判所「サムスン電子、KAISTに特許侵害4億ドル賠償せよ」

2018年06月18日10時12分
[ⓒ 中央日報/中央日報日本語版]
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  サムスン電子がKAISTに4億ドルの特許侵害賠償金を払わなくてはならない状況に置かれた。ブルームバーグによると、米テキサス州マーシャルにある裁判所で現地時間15日に開かれた裁判で、陪審員団はKAIST子会社のKIPがサムスン電子を相手取り提起していた「FinFET」特許侵害訴訟で4億ドルの賠償を命じる評決を下した。

  FinFETはスマートフォンの機能を高め電力消費を減らしモバイル機器利用速度を高めるトランジスター技術で、モバイル産業の核心技術に挙げられる。

  この技術はソウル大学のイ・ジョンホ教授が2001年に発明し、2003年に米国で特許を出願した。イ教授は米国にあるKIPに特許権限を譲渡し、インテルは2012年に100億ウォンの使用料を払ってこの技術を利用している。サムスン電子は2015年の「ギャラクシーS6」からこの技術を適用しているが特許使用料は払っていなかった。

  イ教授は円光(ウォングァン)大学に在職していた当時にKAISTとの共同研究によりこの技術を発明した。米国で特許を取った時は慶北(キョンブク)大学に在職中だった。当時円光大学は特許出願を支援できないとし、KAISTは2002年1月に韓国国内特許を出願した後、国外特許権はイ教授に渡すことにした。

  KIPは円光大学とKAISTが国外特許権に対する権限を放棄したことで自由発明に転換されイ教授が米国で特許所有権を持つのに無理がないという立場だ。

  サムスン電子はこの技術の特許は有効でないとの立場だ。該当技術は国の支援で行われた研究の成果で、該当技術の特許権はイ教授が米国特許を取った時に在職中だった慶北大学にあるということだ。また、サムスン電子も開発過程でKAISTに協力したと主張している。

  国家研究開発事業の管理などに関する規定によると、国家研究開発事業の実行過程で得られる知的財産権や研究報告書の版権は研究機関の単独所有とし、複数の研究機関が共同開発した時は該当研究機関の共同所有とする。

  サムスン電子はイ教授が米国支社であるKIPに該当技術の特許権限を譲渡したことは国家技術流出に属するとみている。このため「産業技術の流出防止と保護に関する法律」(以下、産業技術保護法)に指定された国家核心技術なのかどうかを判断してほしいと産業通商資源部に要請した状況だ。

  産業技術保護法は国から研究開発費を支援されて開発した国家核心技術を外国企業に売却・移転する場合に産業通商資源部の審議や承認を受けるよう規定した法律だ。これに違反すれば輸出中止や原状回復措置が下される。

  一方、マーシャル裁判所の陪審員団はサムスン電子が故意に特許を侵害したと判断を下したが、故意性が認められれば賠償額は最大3倍となる12億ドルまで増える可能性がある。サムスン電子とともに起訴されたクアルコムとグローバルファウンドリーズも特許を侵害したとの見方を示したが、賠償を要求することはなかった。

  サムスン電子は「控訴を含め合理的な結果を得るためにあらゆる選択肢を検討するだろう」と明らかにした。

  
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