サムスン電子が速度の速いＤＲＡＭと電源が切れてもデータが消えないＮＡＮＤ型フラッシュの長所を取った次世代メモリー「ＭＲＡＭ」の量産を始めた。２００２年に次世代メモリー研究を始めてから１７年で出てきた成果だ。最近需要が急増しているモノのインターネット（ＩｏＴ）基盤の各種情報通信技術（ＩＣＴ）製品に主に搭載されると予想される。サムスンの次世代収益事業になる見通しだ。

◇１０００倍速くなった書き込み速度

サムスン電子は６日、内蔵型メモリー半導体製品の「ｅＭＲＡＭ」を量産すると発表した。メモリー半導体、コントローラー、通信用半導体などのさまざまな機能を持つ半導体をモジュールのようにひとつにまとめたシステムオンチップ（ＳｏＣ）に装着されるメモリー半導体だ。電源を消してもデータが消えないＮＡＮＤ型フラッシュの特性を持ち、書き込み速度は既存の内蔵型製品（ｅフラッシュ）より１０００倍速い。

サムスン電子関係者は、「既存のメモリー製品と違いソフトウェアなどをアップグレードする際に既存データを削除する必要がなく、書き込み速度が画期的に改善された」と話した。続けて「電源が切れた状態でデータを維持でき別途の待機電力も消費しない」と付け加えた。読み取り速度は既存製品と同水準という。

サムスン電子がＭＲＡＭを量産したのは２００２年にサムスン電子半導体研究所が次世代半導体研究を始めてから１７年ぶりだ。ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュに代わるメモリー半導体を開発するという計画で始めた。メモリーの容量を拡大すると同時に生産単価を低くできるナノプロセス技術を確保するのに少なくない困難があったという。

初めての量産製品は企業顧客の注文と設計により受託生産するファンドリー用として出された。サムスン電子はＭＲＡＭをＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュのように標準化された製品として大量生産するよりは、ＩｏＴ機能が必要なスマートウォッチ、電気炊飯器など小型電子機器と製品用に生産するのが合っているという判断をしたという。

◇ＩｏＴ電子機器に活用度高く

サムスン電子は新たな革新技術も導入した。半導体原板であるシリコンウエハーの上に絶縁膜をかぶせて外部に漏れる電力量を減らせるＦＤ－ＳＯＩ工程を導入した。電力消費量が大きく減り完全無線イヤホンなど超小型ＩＴ機器にも装着できると同社は説明した。

サムスン電子は今後技術革新を通じて集積度を高め生産単価を下げられる後続新製品を発表する計画だ。

今回の製品は２８ナノプロセス基盤で生産するが、１８ナノ級ナノプロセスも開発しているという。同社関係者は「現在の量産製品より容量を数倍に引き上げた１ギガビット（Ｇｂ）級ｅＭＲＡＭも年内に試験生産する予定」と話した。

半導体業界ではＭＲＡＭがＤＲＡＭまたはＮＡＮＤ型フラッシュを代替するよりは、多様な性能と機能を持つメモリー製品が相当期間共存する可能性が大きいとみている。ＭＲＡＭはＩｏＴを基盤とする電子機器に対する需要のため市場が急成長するものと業界は期待している。

競合会社も先を争って製品開発に乗り出している。インテルは昨年末米サンフランシスコで開かれた国際半導体素子学会（ＩＥＤＭ）にＭＲＡＭの新製品を発表した。ファンドリー業界１位のＴＳＭＣも２２ナノ級内蔵型ＭＲＡＭを開発していると伝えられた。