メモリー半導体メーカーに対する中国政府の圧迫は昨年１２月から始まった。中国の経済政策を総括する国家発展改革委員会がサムスン電子関係者を呼んでＤＲＡＭ価格上昇と関連して調査した。今年２月には▽ＤＲＡＭ価格据え置き▽円滑なメモリー半導体供給▽自国企業に対する特許訴訟中断――の３つの要求事項を伝えたりもした。サムスン電子、ＳＫハイニックス、マイクロンなどに対する先月３１日の価格談合疑惑調査はこうした圧迫の延長線だ。結果により課徴金徴収と関係者の刑事処罰まで可能という点で圧迫水準がさらに高まったと評価される。

２０１６年７月から上がり始めたＤＲＡＭ価格は上昇傾向が衰えずにいる。４ギガビット（Ｇｂ）ＤＲＡＭ価格は２０１６年６月の１．３１ドルから今年４月には３．９４ドルと３倍に上がった。価格上昇は下半期も続く見通しだ。

ＤＲＡＭ市場でサムスン電子、ＳＫハイニックス、マイクロンのシェアは９５．６％で絶対的だ。モバイル用ＤＲＡＭなど仕様が高い製品ではほぼ１００％に達する。ＤＲＡＭ価格上昇はスマートフォンとＰＣメーカーの製造コスト上昇につながり収益性を引き下げる。ファーウェイとシャオミ、レノボなど関連中国メーカーが中国政府にメモリーメーカーの価格談合疑惑調査を強く要求する理由だ。

「半導体崛起」すら期待よりも遅れておりサムスン電子などに対する中国政府内の牽制心理も高まっている。長江メモリーと合肥長シンなど中国企業は当初今年末と予想されたメモリー半導体量産時期を来年以降に延期した。電子業界関係者は「今回の価格談合調査のターゲットになったＤＲＡＭは２０２０年でも量産は厳しい可能性が高い」と予想した。

ますます激化する米国との貿易紛争が原因として作用したという分析もある。価格談合調査がサムスン電子、ＳＫハイニックスなど韓国企業でなく米マイクロンを狙っているという解釈だ。米国は中国企業による半導体企業の買収合併を防いだのに続き個別の中国企業制裁にも乗り出している。１７億ドルに達する罰金が課される危機に陥った中国通信装備会社のＺＴＥが端的な例だ。先月２２日にトランプ米大統領がＺＴＥに対する大規模罰金賦課の意向を明らかにした直後に中国政府はマイクロン関係者らを召喚してＤＲＡＭ価格算定などを調査した。

中国政府が実際に価格談合を立証するのは容易ではない見通しだ。２００６年に米国法廷の価格談合認定判決で数千億ウォンの罰金を出し元幹部と現職幹部が懲役刑を受けた半導体企業は問題になる素地がある事項をすべてなくしたためだ。半導体業界関係者は「サムスン電子とＳＫハイニックス関係者は出張の機内で会ってもあいさつすら交わさないように教育を受ける。実際の処罰につなげるのは難しいだろう」と予想した。