韓経:サムスンの勝負、3次元NANDに25兆ウォン投資…東芝など引き離しへ

韓経:サムスンの勝負、3次元NANDに25兆ウォン投資…東芝など引き離しへ

2016年06月15日09時47分
[ⓒ韓国経済新聞/中央日報日本語版]
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  サムスン電子が3次元(3D)NAND型フラッシュメモリーに来年まで25兆ウォン(約2兆2500億円)を投入する。莫大な投資を通じて東芝・マイクロンなどライバル企業だけでなく、新規参入したインテルや中国XMCなどが市場に足を踏み入れられないようにするという戦略だ。サムスン電子はDRAMでもこうした戦略で「30年チキンゲーム」を整理し、独走体制を固めた。

  業界によると、サムスン電子は京畿道華城(ファソン)の半導体工場16ラインの一部を3D NAND用に転換するのに続き、17ラインの2段階工場にも3D NANDラインを設置することにした。月10万枚(ウェハー基準)生産設備を今年下半期に設置し、年末に稼働する計画だ。またサムスンは年末に完工する京畿道平沢(ピョンテク)工場(1段階月10万枚規模)でも3D NANDの生産を事実上決めた。ここには年末から設備投資を始め、来年下半期に稼働する。

  通常、月1万枚規模の設備に約1兆ウォン投入される。今年1-3月期に3D NANDを製造する中国西安工場に月4万枚の設備を増設したことを勘案すると、来年まで25兆ウォン以上を3D NANDに投資するということだ。業界関係者は「DRAM市場にはサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンの3社が残ったのに対し、NAND市場にはこれら3社のほかにも東芝が競争していて、最近はインテルと中国企業までが参入した」とし「サムスン電子が技術でリードする3D NAND市場でチキンゲームを終わらせようということ」と説明した。

  今まで2D NANDだけを生産してきた東芝、マイクロン、SKハイニックスと、NAND市場に初めて参入したインテルは今年下半期から3D NANDの量産を始める。この時期に合わせてサムスンが物量を増やして価格が下落すれば、すべて赤字を出すしかない。

  ◆3D NAND

  NAND型フラッシュはメモリー半導体の一種。DRAMとは違い電源が切れてもデータを記憶するため、スマートフォンなどで動画・音楽・写真などを保存するのに使われる。3次元(3D)NANDは平面(2D)NANDの回路を垂直にした製品だ。平面NANDを一戸建て住宅とすれば3D NANDはマンションと考えればよい。
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