サムスン電子のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー半導体市場シェアが２年６カ月ぶりに３０％を割った。一方、ＳＫハイニックスは１年ぶりに１０％台のシェアを回復した。

半導体電子商取引サイト「ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ」は１９日、サムスンの今年７－９月期のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー半導体市場シェアが２９．７％と、４－６月期（３０．８％）に比べ１．１ポイント落ちたと明らかにした。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーはＤＲＡＭとは違って電源を消しても情報が保存され、モバイル機器、デジタルカメラだけでなく、今後ハードディスクに代わると評価されるソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）などに幅広く使われる。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー分野でサムスンのシェアが３０％以下に落ちたのは２０１２年１－３月期（２７．６％）以来２年６カ月ぶり。当時は日本企業の東芝が０．９ポイント差に追い上げた。

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅは「７－９月期のサムスンの半導体営業利益率は平凡だった」とし「来年から中国西安工場でＶ－ＮＡＮＤを本格的に量産すれば競争力が上がるとみられる」と説明した。

一方、ＳＫハイニックスは７－９月期、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの売上高を前期比２１．７％増やし、市場シェアも１０．３％に高めた。ＳＫハイニックスは昨年７－９月期（１１．４％）以来１年ぶりに２けたシェアを回復した。

７－９月期のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場シェアの順位はサムスン電子、東芝、サンディスク、マイクロン、ＳＫハイニックス、インテルの順。