サムスン電子が４日、大規模な投資を発表し、中国西安にも半導体工場を追加で建設すると明らかにした。内部的にはすでに年初に意思決定が終わった案件であり、２０１４年に竣工した西安第１ラインと同じく３Ｄ（３次元）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー生産工場だ。業界は、１０兆ウォン（約１兆円）を投資して月１０万枚（ウェハー基準）を生産する工場を２０１９年末までに新しく建設するとみている。

西安工場はサムスン電子の３Ｄ　ＮＡＮＤ生産で重要な比率を占める。西安第１ラインの生産量は月１２万枚で、それぞれ４万枚を生産する華城（ファソン）１６ライン、１７ラインを合わせたものより多い。新工場が追加されれば生産量は２２万枚に増え、２０２１年に最大２４万枚を生産する平沢（ピョンテク）工場とともに２大拠点となる。

サムスン電子が中国内のＮＡＮＤ生産を増やす裏には、先端産業を誘致するための中国政府の積極的な努力がある。西安第１工場建設当時に次の工場敷地を確保したサムスン電子は、今回の工場建設に関連して中国地方政府から資金支援まで受ける予定だ。業界関係者は「支援規模をめぐり最近まで西安および陝西省政府と話し合ってきた」と伝えた。

中国は半導体やディスプレーなどの新規工場に破格的な支援をすることで有名だ。第１０．５世代ＬＣＤ（液晶表示装置）工場を建設しているＢＯＥは工場建設費用４６０億元のうち３０億元だけを負担した。２７０億元を合肥地方政府などが出し、１６０億元は銀行から支援された。今年およそ３０年ぶりにメモリー半導体生産を再開したインテルが中国・大連に工場を建設したのもこのような支援のためだ。

２０１５年に計２３０７億ドル分の半導体を輸入した中国は、自国の半導体産業育成のために貿易障壁を高めていく可能性が高いという見方が出てきている。サムスン電子が急いで投資拡大を決めたのもこうした点を念頭に置いているという分析だ。