中国半導体の空襲…「サムスンより速い32段NAND量産」(1)

中国半導体の空襲…「サムスンより速い32段NAND量産」(1)

2018年08月09日09時17分
[ⓒ 中央日報/中央日報日本語版]
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  中国のメモリー半導体空襲が始まった。中国の長江ストレージ(YMTC)が「半導体の本場」である米シリコンバレーで開かれた半導体カンファレンスで来年に32段3DNAND型フラッシュを市場に出すと宣言した。独自の3D NAND量産技術も発表した。

  YMTCは7日に米サンタクララコンベンションセンターで開かれた「フラッシュメモリーサミット」で32段3D NANDの試作品を発表した。10月から本格的な試験生産に入り、来年から大量生産に乗り出すと明らかにした。YMTCは昨年3D NAND技術を公開し、1年後の今年末から量産に入るとしていた。世界最大のメモリー半導体市場である中国の「独自生産」宣言に世界のメモリー半導体市場はざわめいた。だが業界では簡単には量産に成功できないとみていた。

  当時中国はメモリー半導体関連基盤が皆無の状態で、YMTCは2016年に設立された新生企業だった。予想を破りYMTCは設立から3年で中国製メモリー半導体を市場に出す予定だ。YMTCは中国国営半導体企業の清華紫光グループの子会社で、補助金や税制優遇など中国政府の全面的な支援を受けている。

  業界ではすでにYMTCの技術が64段3D NANDまで発展したとみている。64段3D NANDの試作品を生産し自国のIT企業を対象に納品しているとわかった。

  記憶・保存機能を担当するNANDとDRAMは代表的なメモリー半導体だ。中国はメモリー半導体分野で相対的に参入障壁が低いNAND市場を先に狙っている。現在サムスン電子とSKハイニックスの主力製品は第4世代である64~72段3D NANDだ。YMTCが来年量産を開始する第2世代32段3D NANDとは需要が異なる市場だ。NANDは回路を積み上げる「段」の数が大きくなるほど高い技術力が必要だ。

  韓国の半導体業界ではすぐにではないが来年下半期には打撃があるとみられる。YMTCが32段3D NAND技術発表後に量産までかかった期間が1年半ほどにすぎないためだ。この速度ならば年初に試作品を作ったという64段3D NANDを来年末に量産することも可能ということだ。

  業界では現在の韓国と中国のメモリー半導体技術力格差を3~4年ほどとみている。YMTCが量産を開始する32段3D NANDはサムスン電子が2014年8月に発売した製品だ。64段3D NANDは2016年12月に量産が始まった。現在サムスン電子は96段3D NAND、SKハイニックスは72段3D NAND技術を保有している。

  YMTCは今回の半導体カンファレンスで独自の3D NAND量産技術である「Xタッキング」も紹介した。YMTCの楊士寧最高経営責任者(CEO)は「ほとんどの企業のデータ伝送速度が1Gbpsで業界最高水準が1.4Gbps。Xタッキング技術を使えば3Gbpsに到達できる」と話した。業界最高水準であるサムスン電子より2倍速いという主張だ。

  だが専門家らは実際の技術実現は難しいと評価する。一般的にNAND製造にはウエハー(基板)1個を使うがXタッキングはウエハー2個が必要だ。一般的な工程よりコストがかかるという意味だ。極東大学半導体装備工学科のチェ・ジェソン教授は「チップ2つをひとつに連結する工程が追加されなくてはならないが、コストだけでなく生産時間も増え歩留まりが低くなり量産につながりにくいだろう」と予想する。

  
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