中国のメモリー半導体空襲が始まった。中国の長江ストレージ（ＹＭＴＣ）が「半導体の本場」である米シリコンバレーで開かれた半導体カンファレンスで来年に３２段３ＤＮＡＮＤ型フラッシュを市場に出すと宣言した。独自の３Ｄ　ＮＡＮＤ量産技術も発表した。

ＹＭＴＣは７日に米サンタクララコンベンションセンターで開かれた「フラッシュメモリーサミット」で３２段３Ｄ　ＮＡＮＤの試作品を発表した。１０月から本格的な試験生産に入り、来年から大量生産に乗り出すと明らかにした。ＹＭＴＣは昨年３Ｄ　ＮＡＮＤ技術を公開し、１年後の今年末から量産に入るとしていた。世界最大のメモリー半導体市場である中国の「独自生産」宣言に世界のメモリー半導体市場はざわめいた。だが業界では簡単には量産に成功できないとみていた。

当時中国はメモリー半導体関連基盤が皆無の状態で、ＹＭＴＣは２０１６年に設立された新生企業だった。予想を破りＹＭＴＣは設立から３年で中国製メモリー半導体を市場に出す予定だ。ＹＭＴＣは中国国営半導体企業の清華紫光グループの子会社で、補助金や税制優遇など中国政府の全面的な支援を受けている。

業界ではすでにＹＭＴＣの技術が６４段３Ｄ　ＮＡＮＤまで発展したとみている。６４段３Ｄ　ＮＡＮＤの試作品を生産し自国のＩＴ企業を対象に納品しているとわかった。

記憶・保存機能を担当するＮＡＮＤとＤＲＡＭは代表的なメモリー半導体だ。中国はメモリー半導体分野で相対的に参入障壁が低いＮＡＮＤ市場を先に狙っている。現在サムスン電子とＳＫハイニックスの主力製品は第４世代である６４～７２段３Ｄ　ＮＡＮＤだ。ＹＭＴＣが来年量産を開始する第２世代３２段３Ｄ　ＮＡＮＤとは需要が異なる市場だ。ＮＡＮＤは回路を積み上げる「段」の数が大きくなるほど高い技術力が必要だ。

韓国の半導体業界ではすぐにではないが来年下半期には打撃があるとみられる。ＹＭＴＣが３２段３Ｄ　ＮＡＮＤ技術発表後に量産までかかった期間が１年半ほどにすぎないためだ。この速度ならば年初に試作品を作ったという６４段３Ｄ　ＮＡＮＤを来年末に量産することも可能ということだ。

業界では現在の韓国と中国のメモリー半導体技術力格差を３～４年ほどとみている。ＹＭＴＣが量産を開始する３２段３Ｄ　ＮＡＮＤはサムスン電子が２０１４年８月に発売した製品だ。６４段３Ｄ　ＮＡＮＤは２０１６年１２月に量産が始まった。現在サムスン電子は９６段３Ｄ　ＮＡＮＤ、ＳＫハイニックスは７２段３Ｄ　ＮＡＮＤ技術を保有している。

ＹＭＴＣは今回の半導体カンファレンスで独自の３Ｄ　ＮＡＮＤ量産技術である「Ｘタッキング」も紹介した。ＹＭＴＣの楊士寧最高経営責任者（ＣＥＯ）は「ほとんどの企業のデータ伝送速度が１Ｇｂｐｓで業界最高水準が１．４Ｇｂｐｓ。Ｘタッキング技術を使えば３Ｇｂｐｓに到達できる」と話した。業界最高水準であるサムスン電子より２倍速いという主張だ。

だが専門家らは実際の技術実現は難しいと評価する。一般的にＮＡＮＤ製造にはウエハー（基板）１個を使うがＸタッキングはウエハー２個が必要だ。一般的な工程よりコストがかかるという意味だ。極東大学半導体装備工学科のチェ・ジェソン教授は「チップ２つをひとつに連結する工程が追加されなくてはならないが、コストだけでなく生産時間も増え歩留まりが低くなり量産につながりにくいだろう」と予想する。