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インテル・マイクロン合作…サムスン電子・SKハイニックスに挑戦状

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2015.07.30 11:26
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スマートフォンやPCの性能を大きく高められる新しいメモリチップがまもなくお目見えする。米国の半導体会社インテルとマイクロンは、NAND型フラッシュメモリよりもデータ処理速度が1000倍速くてDRAMよりも10倍多くのデータを入れられるメモリチップを共同開発したと29日明らかにした。DRAMとNAND型フラッシュメモリはハイテク機器に最も多く使われるメモリ半導体だ。インテルとマイクロンは今回の技術を「3Dクロスポイント」と命名して今年中に試作品を生産する計画だ。

新しいメモリチップはDRAMの長所である速いスピードとNAND型フラッシュメモリの長所である電源が切れても保存機能が維持される点などを等しく備えたとインテル側は紹介した。インテルのメモリソリューショングループのチャールズ・ブラウン博士はこの日午前ソウル三成洞(サムソンドン)のインターコンチネンタルホテルで行われた記者懇談会で「数十年間、新技術が出てこなかったメモリ分野にとって新たな突破口となる画期的な技術」としながら「新技術がメモリチップ市場の地図を変えることになるだろう」と強調した。

世界のメモリ半導体市場を主導しているサムスン電子とSKハイニックスの立場としては、米国の半導体企業の連合戦線が気になる状況だ。だが該当技術を持ち出して売る市場規模がまだ小さいので、国内の半導体企業に及ぼす短期的な影響は大きくない展望だ。現代証券のパク・ヨンジュ研究員は「サムスン電子とSKハイニックスも、インテルとマイクロンの新技術と似たような技術を備えてはいるが、関連市場の拡大に対する懐疑的な見方のために大量生産をしていない段階」と話した。

 
技術力を誇るインテルと生産能力が検証されたマイクロンが手を握っただけに、中長期的には国内企業にとって威嚇要因になりうるというのが業界の分析だ。

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