ノートブックＰＣの保存容量をスーパーコンピューター級に変える技術が韓国で生まれた。

サムスン電子は世界で初めて３次元積層方式を適用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリー（電源が消えても情報が保存されるメモリー半導体）「Ｖ　ＮＡＮＤ」の量産を始めたと６日、明らかにした。半導体の構造を３次元立体方式に変えたのだ。線を細くする微細工程の限界と見なされてきた１０ナノメートル（１ナノは１０億分の１）の壁を一気に越えた。

崔定赫（チェ・ジョンヒョク）サムスン電子メモリー事業部フラッシュ開発室長はこの日、「サムスン電子がメモリー事業を開始してから３０年目、半導体事業の新しいターニングポイントを迎えた」と紹介した。

「Ｖ　ＮＡＮＤ」は容量が１２８ギガビット（Ｇｂ）と、今年４月に量産に入った従来の製品と同じ。しかし適用された技術は完全に違う。半導体業界はＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの集積度を高めるために１０ナノ級工程技術を競争的に導入した。しかし電子を閉じ込めてデータを保存する保存場所（セル）の間隔が狭まると問題が発生した。電子が壁を突き抜けて別のセルに移る「干渉現象」が激しくなったのだ。

サムスンは高層ビルを建てるようにセルを上積みする方式で問題を解決した。平らなセルを巻いて３次元垂直に積層したところ、従来の干渉問題が消えたということだ。この日量産を発表した製品は２４層構造。理論的には層数を増やせば容量を無限に拡張できる。

今までのように容量が増えれば、５年以内にスーパーコンピューターに入る１テラビット（Ｔｂ）級メモリーをノートブックに装着することが可能になる見込みだ。立体設計のため書き込み速度も２倍以上速くなり、セルの寿命を示す書き込み回数（耐久年限）も製品別に２－１０倍以上向上した。