サムスンがパソコンやモバイルに続いてサーバー用まで、世界で初めて完全な２０ナノＤＲＡＭ体制を構築した。「２０ナノ」とは、ＤＲＡＭ半導体チップ内にある回路の間隔が２０ナノメートル（１０億分の１メートル、髪の毛の太さの１０万分の１）の微細工程を適用したという意味。

サムスン電子は２０日、半導体業界で初めて「２０ナノ８ギガビット（Ｇｂ、速度単位）ＤＤＲ４サーバー用ＤＲＡＭ」の量産に成功した、と明らかにした。ＤＲＡＭはＤＤＲ１からＤＤＲ２、ＤＤＲ３、ＤＤＲ４と一段階ずつ進化するたびにデータ処理速度は２倍速くなり、電力効率は１０－３０％高まる。パソコンとモバイルだけでなくサーバー用ＤＲＡＭまで２０ナノ工程の適用に成功し、サムスンはまたもメモリー半導体分野で世界的な技術力を誇示した。

サムスン電子は３月、世界で初めて２０ナノパソコン用ＤＲＡＭ量産に成功し、先月はスマートフォン・タブレットＰＣなどに使うモバイルＤＲＡＭでも２０ナノ製品の量産に入った。

サムスンの２０ナノＤＤＲ４サーバー用ＤＲＡＭは従来のＤＤＲ３基盤モジュールに比べ性能が約３０％高い。また、駆動電圧は１．２ボルト（Ｖ）と、ＤＤＲ３（１．５Ｖ）の８０％水準にすぎない。

サムスン電子メモリー事業部のペク・ジホ常務は「２０ナノ　８Ｇｂ　ＤＤＲ４　ＤＲＡＭは次世代サーバーシステム構築のための３つの必要要素である高性能・高容量・低電力の特性をすべて満たした製品」と説明した。

一方、ＳＫハイニックスもこの日、電源が切れればデータが消えるＤＲＡＭの短所を補完できる２０ナノ級「ＤＤＲ４　１６ＧＢハイブリッドＤＲＡＭモジュール」を開発したと明らかにした。この製品は突然電源が切れてもＤＲＡＭに保存されたデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに伝送して安全に保存・復旧するように製作された。