「これが３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤです。平面製品よりも深く掘った回路がしっかり見えるでしょう」

ＳＫハイニックス清州（チョンジュ）工場のＭ１２生産ラインでキム・ジョンヒョンＮＡＮＤファブ１チーム長が、加工中のフープ（ｆｏｕｐ、半導体工程でウエハーを入れて移動させる容器）を持ち出して見せてくれた。フープ中にある２５枚のウエハー上面に回路図がきめこまかく打ち込まれていた。この会社が先週、工程に導入して加工中の３次元ＮＡＮＤチップだ。このチップは１カ月半の工程が終わる４月初めにＳＫハイニックスのロゴを付けて出荷される。ＮＡＮＤ業界の後発ランナーであるＳＫハイニックスが「ＮＡＮＤの元祖」である日本の東芝や米国マイクロンを抜いて世界で２番目に３次元ＮＡＮＤの量産に入ったのだ。

◆世界２番目に３次元ＮＡＮＤ量産

メモリー半導体業界はこれまで工程微細化を通じてチップの容量と性能を高めてきた。チップの回路線幅を減らせば直径３０センチのウエハー１枚で作ることができるチップ数が増え、電子の移動スピードは速くなる。データ処理スピードがさらに速く電力消耗が少ない半導体をもっと多く生産することができる。だが数年前から工程微細化は壁にぶちあたった。１０ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）台に入って線幅をもっと減らすには途方もない投資と努力が必要になったのだ。

３次元ＮＡＮＤはこのような状況を打開するために開発された。平面で回路線幅を減らすのが難しくなると最初から垂直に回路を作って容量と速度を改善した。だが実際の工程は話のように容易ではなかった。１０年以上研究した末にサムスン電子が２０１３年末に２４段製品を開発し、昨年８月から４８段製品の生産を始めた。ＮＡＮＤを初めて開発して元祖と呼ばれる日本の東芝はもちろんマイクロンもまだ量産できずにいる。

こうした中でＳＫハイニックスが出た。この会社は平面ＮＡＮＤを生産中のＭ１２ラインの生産能力の中で５～１０％を投じて３６段３次元ＮＡＮＤを生産している。ウエハー基準で月２万～３万枚規模だ。今年の下半期に４８段開発を完了すれば利川（イチョン）Ｍ１４の２階に専用ラインを作って生産量を増やす計画だ。清州工場のそばに２５万平方メートルの敷地も確保した。ＳＫハイニックスは清州市と先月２６日、投資協約を結んでここに１５兆５０００億ウォンを投じることにした。３次元ＮＡＮＤ工場を作る案が有力だ。


韓経：ＳＫハイニックス「東芝に先立ち３次元ＮＡＮＤ量産…後発ランナー弱点克服」（２）