サムスン電子が中国・西安に３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュ工場を追加で作る。２０１４年に竣工した西安第１ラインに続き第２ラインを増設する。半導体業界関係者は「サムスン電子と中国地方政府が詰めの交渉を行っている。投資規模は最大１０兆ウォン前後（約1兆円）、着工は９月ごろになる可能性が大きい」と話した。

西安工場増設は３ＤＮＡＮＤ型フラッシュ市場での圧倒的シェアを維持するためだ。サムスン電子は昨年末基準で３ＤＮＡＮＤ型フラッシュ市場の６６％を占めるトップ企業だ。最近スマートフォン、パソコン用記憶装置を中心に３ＤＮＡＮＤ型フラッシュ需要が爆発的に増え、東芝やＳＫハイニックスなど後発企業も急速に投資を増やしている状況だ。この関係者は「後発企業の追撃により来年ごろにはサムスン電子の３ＤＮＡＮＤ型フラッシュ市場のシェアが５０％以下に落ちる可能性もある。３ＤＮＡＮＤ型フラッシュは生産すればすぐに売れており、業界の投資競争は激しいだろう」と説明した。

２０１９年に稼動開始すると予想される西安第２ラインの３ＤＮＡＮＤ型フラッシュ生産量は月１０万枚（ウエハー基準）水準だ。西安第１ラインと合わせれば西安で生産される３ＤＮＡＮＤ型フラッシュは月２２万枚前後で、月２０万枚を作るサムスン電子平沢（ピョンテク）工場と２大軸を構成する。