世界のＤＲＡＭ市場で１位を走るサムスン電子が「超格差技術力」で市場平定に出た。現存最高容量と速度を同時に実現した１２ギガビットモバイルＤＲＡＭがその武器だ。

サムスン電子は９日、最新の独自設計技術と業界唯一の２０ナノメートル工程で容量と性能を強化した１２ＧｂＬＰＤＤＲ４ＤＲＡＭを今月から量産すると発表した。モバイルＤＲＡＭは主にスマートフォンやタブレットなどで記憶装置の役割をするメモリー半導体だ。また別のメモリー半導体であるＮＡＮＤフラッシュより１０００倍以上速い速度でデータの保存と削除を繰り返し多様な機能を担う。

サムスン電子が今回商用化した１２ギガビットモバイルＤＲＡＭは昨年１２月に量産を始めた８ギガビットＤＲＡＭより記憶容量を５０％増やした。同時に速度は３０％以上高めた４２６６Ｍｂｐｓを実現し、最新ＰＣ用ＤＲＡＭより２倍速く、消費電力も２０％減らした。

これはさらに薄く小さいＩＴ機器で高い性能を出す基盤となる。１２ギガビットモバイルＤＲＡＭ４個を重ねれば６ギガバイト（１ギガバイト＝８ギガビット）モバイルＤＲＡＭパッケージを作ることができる。これまでの８ギガビットＤＲＡＭでは４ギガバイト容量のモバイルＤＲＡＭパッケージを構成するのが限界だった。今度は６ギガバイト容量を既存のパッケージと同じ大きさと厚さで作れるという話だ。

例えば今後発売される「ギャラクシーＳ７」や「ｉＰｈｏｎｅ７」など次世代プレミアムスマートフォンに搭載すれば情報処理速度はさらに速くなり、デザインはさらに薄く軽くできる。超高解像度（ＵＨＤ）動画を見ながら各種検索や文書作成作業をしてもシームレスに処理することができる。

サムスン電子関係者は、「デザインや便宜性の側面から最高の性能を実現し、バッテリー使用時間も増やせる。今後スリムＰＣとデジタル家電、車両用メモリーなどのほか、モノのインターネット（ＩｏＴ）まで多様な分野に事業領域を拡張する計画だ」と説明した。

事実これまで上り坂に乗っていた半導体業況は下り坂に転じた。ＤＲＡＭやＮＡＮＤフラッシュなどの価格下落が続いており、弱り目にたたり目で中国の経済危機により半導体需要減少まで予想される。だが、むしろ今回の１２ギガビットモバイルＤＲＡＭがサムスン電子の位置づけをさらに強固にするという分析も出ている。後発企業の追撃を許さないという、いわゆる「超格差技術力」戦略のおかげだ。

サムスン電子は今回世界で初めて商用化に成功した１２ギガビットＤＲＡＭのように付加価値が高い先端技術基盤の製品の割合を増やし、価格の騰落に関係なく安定したマージンを確保するという計画だ。下半期の半導体市場に暗雲が立ち込めてもサムスン電子が好実績を継続するという予想が支配的な理由だ。ＮＨ投資証券のイ・セチョル研究員は、「今回の製品は現存する最高仕様メモリーだ。スマートフォンなどが高仕様化される傾向に合う製品で、売り上げ増加に寄与するものとみられる」と説明した。