サムスン電子がニューメモリーＭＲＡＭ（磁性メモリー）を内蔵したシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）試作品の生産を完了し、マーケティングを始めたという。ＤＲＡＭ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーなどメモリー半導体が好況の中、次世代半導体競争にも戦雲が漂う様相だ。これに先立ちインテルとマイクロンがＰＲＡＭ（相変化メモリー）技術を取り入れた３Ｄクロスポイントという技術を開発したのに続き、ＩＢＭが３ビットＰＲＡＭを発表した点を考えれば特にそうだ。市場の創出が見えてくれば、次世代半導体時代もそれだけ繰り上げられる見込みだ。

２０００年代から国内外の半導体企業が研究してきたＰＲＡＭ、ＭＲＡＭなど次世代半導体の競争に火がついたのには理由がある。まず現在のメモリー好況がいつまでも続くという保証がない。さらに微細工程の限界、適用分野の多角化、半導体をめぐる激しい競争なども要因に挙げられる。

ＤＲＡＭ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの進化を牽引してきたサムスンは、ＭＲＡＭ、ＲｅＲＡＭ（抵抗変化メモリー）など次世代メモリーを準備してきたという事実をあえて隠さなかった。次に繰り広げられる戦闘をすでに想定していたということだ。ＤＲＡＭ、フラッシュメモリーはサムスンが後発から速い革新で主導権を掌握したとすれば、次世代半導体ＭＲＡＭはサムスンが市場を作り始めたケースだ。もうファストフォロワーではなく、ファストムーバーという宣言だ。拍手を送る。

半導体は韓国で情報技術時代を操り上げた決定的な基盤だったし、第４次産業革命でその重要性がさらに高まった。米国や中国などが国家レベルで半導体競争力を叫ぶのにはすべて理由がある。企業がファストムーバーリスクを負って挑戦するというのに政府は眺めているだけではいけない。特に大企業がする半導体を政府がなぜ支援するのかという論理は非常に危険だ。大学からの半導体人材供給が途切れ、研究基盤が消えれば、産業生態系は崩壊するはずであり、そのような状況は大企業であっても乗り越えることができない。半導体は米国や日本の牽制と中国の猛烈な追撃の中でも韓国経済の支える役割をする産業という点を忘れてはならない。