米裁判所「サムスン電子、KAISTに特許侵害4億ドル賠償せよ」
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2018.06.18 10:12
サムスン電子がKAISTに4億ドルの特許侵害賠償金を払わなくてはならない状況に置かれた。ブルームバーグによると、米テキサス州マーシャルにある裁判所で現地時間15日に開かれた裁判で、陪審員団はKAIST子会社のKIPがサムスン電子を相手取り提起していた「FinFET」特許侵害訴訟で4億ドルの賠償を命じる評決を下した。
FinFETはスマートフォンの機能を高め電力消費を減らしモバイル機器利用速度を高めるトランジスター技術で、モバイル産業の核心技術に挙げられる。
この技術はソウル大学のイ・ジョンホ教授が2001年に発明し、2003年に米国で特許を出願した。イ教授は米国にあるKIPに特許権限を譲渡し、インテルは2012年に100億ウォンの使用料を払ってこの技術を利用している。サムスン電子は2015年の「ギャラクシーS6」からこの技術を適用しているが特許使用料は払っていなかった。